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TF020N06NG 发布时间 时间:2025/4/30 19:49:50 查看 阅读:30

TF020N06NG是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景,具有低导通电阻和高效率的特点。其封装形式为TO-220FP,适合散热要求较高的应用场合。

参数

最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:20A
  导通电阻Rds(on):45mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:115W
  结温范围Tj:-55℃至+175℃
  封装类型:TO-220FP

特性

TF020N06NG具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻:在Vgs=10V时,典型导通电阻仅为45mΩ,能够显著降低功率损耗。
  2. 高电流处理能力:支持高达20A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  3. 宽工作电压范围:最大漏源电压为60V,适用于多种低压系统。
  4. 良好的热性能:采用TO-220FP封装,便于散热设计。
  5. 高可靠性:经过严格的测试和验证,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  6. 快速开关速度:具备较低的输入电容和栅极电荷,从而提高效率并减少开关损耗。
  7. 符合RoHS标准:环保且无铅设计,满足现代工业对环保的要求。

应用

TF020N06NG适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效能电源转换。
  2. DC-DC转换器:实现电压调节与稳压功能。
  3. 电机驱动:控制直流或步进电机的运行状态。
  4. 负载开关:快速切换负载以节省能源。
  5. 电池管理系统(BMS):保护电路免受过流或短路的影响。
  6. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动等。
  7. 消费类电子产品:例如笔记本适配器、充电器等。

替代型号

IRFZ44N
  STP20NF06L
  FDP027N06L

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