HMC241ALP3ETR是由Analog Devices公司生产的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。该器件采用GaAs MMIC工艺制造,并内置肖特基二极管,能够在宽频率范围内提供低插入损耗和高隔离性能。HMC241ALP3ETR支持高达28V的控制电压,适用于多种无线通信、雷达以及测试测量等应用领域。
HMC241ALP3ETR采用SMT封装形式,具体为3x3 mm塑料无引线封装(LP3E),适合表面贴装工艺,简化了电路设计和生产流程。其优异的射频性能和可靠性使其成为高性能射频系统中的理想选择。
频率范围:DC至20 GHz
插入损耗:0.6 dB(典型值)@10 GHz
隔离度:35 dB(最小值)@10 GHz
VSWR:1.5:1(最大值)
输入功率(P1dB):+27 dBm(最小值)
控制电压:0V/28V
电源电流:静态电流小于1 μA
工作温度范围:-55°C至+105°C
HMC241ALP3ETR具备以下显著特性:
1. 宽带操作能力,覆盖从直流到20 GHz的频率范围,非常适合现代高频应用。
2. 极低的插入损耗,保证信号传输效率。
3. 高隔离度确保不同射频路径之间的良好分离,减少干扰。
4. 能够承受高射频输入功率,具有较高的线性度和稳定性。
5. 小型化封装设计,节省PCB空间并提高集成度。
6. 工作温度范围广,适应各种恶劣环境条件下的使用需求。
7. 内部匹配至50欧姆阻抗,无需外部匹配网络即可实现最佳性能。
HMC241ALP3ETR广泛应用于以下领域:
1. 点对点和点对多点无线电通信系统。
2. 军用和民用雷达设备。
3. 测试与测量仪器,例如矢量网络分析仪和频谱分析仪。
4. 微波无线电链路及卫星通信终端。
5. 其他需要高性能射频切换的应用场景。
HMC241MS8TR,HMC241MS8GE,HMC241ALP3E