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HMC241ALP3ETR 发布时间 时间:2025/5/7 12:09:39 查看 阅读:21

HMC241ALP3ETR是由Analog Devices公司生产的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。该器件采用GaAs MMIC工艺制造,并内置肖特基二极管,能够在宽频率范围内提供低插入损耗和高隔离性能。HMC241ALP3ETR支持高达28V的控制电压,适用于多种无线通信、雷达以及测试测量等应用领域。
  HMC241ALP3ETR采用SMT封装形式,具体为3x3 mm塑料无引线封装(LP3E),适合表面贴装工艺,简化了电路设计和生产流程。其优异的射频性能和可靠性使其成为高性能射频系统中的理想选择。

参数

频率范围:DC至20 GHz
  插入损耗:0.6 dB(典型值)@10 GHz
  隔离度:35 dB(最小值)@10 GHz
  VSWR:1.5:1(最大值)
  输入功率(P1dB):+27 dBm(最小值)
  控制电压:0V/28V
  电源电流:静态电流小于1 μA
  工作温度范围:-55°C至+105°C

特性

HMC241ALP3ETR具备以下显著特性:
  1. 宽带操作能力,覆盖从直流到20 GHz的频率范围,非常适合现代高频应用。
  2. 极低的插入损耗,保证信号传输效率。
  3. 高隔离度确保不同射频路径之间的良好分离,减少干扰。
  4. 能够承受高射频输入功率,具有较高的线性度和稳定性。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间并提高集成度。
  6. 工作温度范围广,适应各种恶劣环境条件下的使用需求。
  7. 内部匹配至50欧姆阻抗,无需外部匹配网络即可实现最佳性能。

应用

HMC241ALP3ETR广泛应用于以下领域:
  1. 点对点和点对多点无线电通信系统。
  2. 军用和民用雷达设备。
  3. 测试与测量仪器,例如矢量网络分析仪和频谱分析仪。
  4. 微波无线电链路及卫星通信终端。
  5. 其他需要高性能射频切换的应用场景。

替代型号

HMC241MS8TR,HMC241MS8GE,HMC241ALP3E

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HMC241ALP3ETR产品

HMC241ALP3ETR参数

  • 现有数量2,656现货此产品有最大采购数量限制
  • 价格1 : ¥89.67000剪切带(CT)500 : ¥58.40794卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 射频类型WiMax,WLAN
  • 拓扑吸收
  • 电路SP4T
  • 频率范围0Hz ~ 4GHz
  • 隔离32dB
  • 插损1.2dB
  • 测试频率4GHz
  • P1dB-
  • IIP347dBm
  • 特性-
  • 阻抗50 欧姆
  • 电压 - 供电5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装16-QFN(3x3)