TF015N08TG 是一款 N 沣道通半导体生产的沟槽型功率 MOSFET,采用 TO-220 封装形式。这款器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场合,广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。
该芯片的耐压值为 80V,能够提供较低的导通电阻以减少能量损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:15A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:36nC
输入电容:1940pF
开关速度:快速
封装形式:TO-220
TF015N08TG 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够在高电流应用中有效降低功耗。
2. 高雪崩能力,确保在异常工作条件下具备更高的可靠性。
3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
4. 热稳定性良好,能在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业要求。
TF015N08TG 的典型应用包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
4. 电动工具和家用电器中的功率控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
由于其低导通电阻和快速开关特性,它非常适合用在对效率和热管理要求较高的场景中。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP15N08S