时间：2025/6/25 16:40:21
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SQM85N10-10-GE3 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沱功率场效应晶体管（Power MOSFET），主要用于高效率开关应用和电源管理领域。该器件采用沟道增强型技术，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及负载开关等场景。
这款器件封装为 DPAK（TO-252），具有良好的散热性能，并且在汽车电子和工业控制领域有广泛应用。
型号：SQM85N10-10-GE3
类型：N 沱 MOSFET
最大漏源电压 Vds：100V
最大栅源电压 Vgs：±20V
持续漏极电流 Id：85A
导通电阻 Rds(on)：7mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗：360W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
SQM85N10-10-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，适合大功率应用。
4. 热稳定性良好，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 封装设计优化，具备优异的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
这些特性使得 SQM85N10-10-GE3 成为高性能电源转换和控制电路的理想选择。
SQM85N10-10-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他新能源设备中的功率调节模块。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 工业自动化控制中的继电器替代和高效功率传输。
由于其高电流承载能力和快速开关性能，这款器件特别适合需要高效能量转换的应用场景。
SQM85N10L-10-E3
SQM85N10-10-E3
IRF840
FQP8N10
