类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.7Ω @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.0Ω @ VGS=5V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：800pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：200pF @ VDS=25V
　　反向传输电容（Crss）：30pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间（td(on)）：20ns
　　关断延迟时间（td(off)）：40ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

TF005EF具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻与高电压耐受能力的结合，使其在开关电源应用中能够有效降低传导损耗，提高整体能效。
　　该器件的RDS(on)在VGS=10V时不超过0.7Ω，在VGS=5V时仍能保持在1.0Ω以下，表明其具备良好的低压驱动能力，尤其适合使用3.3V或5V逻辑电平直接控制的嵌入式系统。
　　漏源击穿电压高达500V，使其适用于多种离线式开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥变换器等，支持宽输入电压范围下的稳定运行。
　　器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的功耗并提升开关频率上限，从而缩小外围磁性元件体积，有利于实现小型化设计。
　　其输入电容约为800pF，输出电容为200pF，反向传输电容仅为30pF，这些参数共同降低了高频噪声耦合风险，提升了EMI表现。
　　TF005EF还具备良好的热阻特性，结到壳热阻（RθJC）较低，配合散热片使用可长时间承载额定电流而不会发生热失控。
　　内部结构经过优化，具备一定的单脉冲雪崩能量承受能力，能够在负载突变或短路瞬态过程中吸收部分能量，防止立即损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET采用环保材料封装，无铅且符合RoHS指令要求，适用于出口型电子设备。
　　同时，其封装形式为TO-220F，带有绝缘法兰，可在不额外加装云母垫片的情况下直接固定于接地散热器上，简化装配流程并提高生产效率。
　　整体来看，TF005EF是一款兼顾高性能、易用性与可靠性的通用功率MOSFET，特别适合中等功率电源模块、工业控制设备及家电产品的核心开关元件。

TF005EF主要应用于各类需要高压、中电流开关功能的电力电子系统中。
　　典型应用包括但不限于：AC-DC开关电源中的主开关管或同步整流管，尤其是在反激式拓扑中作为初级侧功率开关，利用其500V耐压和低导通电阻实现高效能量传递；
　　在DC-DC降压或升压转换器中作为高边或低边开关，配合PWM控制器完成电压调节任务，常见于工业电源模块、通信设备供电单元等场合；
　　用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，通过微控制器信号控制通断状态，实现过充、过放保护功能；
　　在家用电器如电磁炉、电风扇、洗衣机电机驱动电路中作为功率开关元件，控制电机启停或调速；
　　在LED恒流驱动电源中作为主控开关，配合电感和反馈电路实现稳定的输出电流；
　　还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关设备中，承担关键的功率切换角色；
　　由于其具备较强的抗浪涌能力和热稳定性，也适用于电网波动较大的地区使用的电源产品；
　　此外，在测试仪器、自动化控制系统、智能电表等工业级设备中，TF005EF常被选作继电器替代方案，实现固态开关功能，避免机械触点磨损问题；
　　综上所述，TF005EF凭借其优良的综合性能，已成为众多中低端功率电子设计中的主流选择之一。

UTS005E
　　KIA005E
　　AP005E
　　FQP005E