时间：2025/8/6 2:13:07
阅读：11
IXGQ140N30TC 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的高功率 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。该器件专为高性能电源管理应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于诸如 DC-DC 转换器、电源管理系统、电机驱动和高功率开关电源等场景。其封装形式为 TO-247，适用于需要高效散热的高功率应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：140A
最大漏极-源极电压（VDS）：300V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻 Rds(on)：典型值 3.8mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：250W
漏极-源极击穿电压（BVDS）：300V
IXGQ140N30TC 的关键特性包括非常低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（可达 140A）使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具备出色的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠运行，适用于苛刻的工业和汽车应用。TO-247 封装提供良好的散热性能，确保在高功耗条件下仍能维持稳定运行。该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流器、高功率 DC-DC 转换器和 UPS 系统。
IXGQ140N30TC 主要应用于高性能电源管理系统，包括高功率 DC-DC 转换器、服务器电源、工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及电动汽车充电系统等。此外，该器件也可用于太阳能逆变器、储能系统以及高性能计算机电源供应器等需要高效率和高可靠性的应用场景。
SiC MOSFET 如 Infineon IMW120M120T、STMicroelectronics STY120N650D、ON Semiconductor FDPF140N30F
