时间：2025/7/4 5:14:41
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TEVC28R0V36D1X 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，主要用于高频、高效率电源转换应用。该器件采用增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动以及通信电源等场景。
该芯片由知名半导体制造商生产，封装形式为行业标准的表面贴装类型，能够有效减少寄生电感的影响，提升整体系统性能。
额定电压：650V
额定电流：36A
导通电阻：28mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：1200pF
开关频率范围：最高可达5MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
TEVC28R0V36D1X 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（28mΩ），有助于降低传导损耗，提高效率。
2. 高速开关能力（支持高达5MHz的工作频率），适合高频电源设计。
3. 内置优化的栅极驱动电路，简化了外部驱动设计，并提高了系统的稳定性。
4. 使用增强型 GaN 技术，确保器件在高电压下的可靠性和耐用性。
5. 具备强大的热性能，允许其在高温环境下稳定运行，工作结温范围可达到 +175℃。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
TEVC28R0V36D1X 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如服务器电源和电信设备电源。
2. 电动车充电设施中的功率转换模块。
3. 高效电机驱动控制器，用于工业自动化和家用电器。
4. 快速充电器及适配器设计，提供更小尺寸和更高效率。
5. 可再生能源系统中的逆变器和 DC-DC 转换器，如太阳能微逆变器。
6. 数据中心和高性能计算设备中的高效电源解决方案。
TEVC28R0V40D1X, TEVC35R0V36D1X
