时间：2025/6/27 12:10:36
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TESDN3V31BD06是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率开关器件，广泛应用于高频率、高效率的电力电子系统中。该器件采用先进的封装工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、充电器以及各类电源管理应用。
这款芯片的核心优势在于其出色的热性能和电气特性，能够显著降低系统功耗并提升整体效能。同时，它还支持较高的工作电压范围，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
型号：TESDN3V31BD06
类型：功率MOSFET
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：31A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：90nC
开关速度：非常快
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
TESDN3V31BD06具有以下主要特性：
1. 基于氮化镓技术，提供卓越的高频性能和高效率。
2. 超低导通电阻（30mΩ），有效减少传导损耗。
3. 快速开关能力，有助于减小磁性元件体积并优化电路设计。
4. 高额定电压（650V），确保在高压环境下的可靠性和稳定性。
5. 封装形式为TO-247-4L，具备良好的散热性能和机械强度。
6. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应多种工业应用场景。
7. 内置ESD保护功能，增强器件的鲁棒性。
8. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
TESDN3V31BD06适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及适配器设计。
2. 太阳能逆变器中的高频开关模块。
3. 电动车充电设备和车载电源系统。
4. 数据中心高效电源解决方案。
5. 工业电机驱动控制电路。
6. 高效DC-DC转换器设计。
7. 各类需要高效率和高功率密度的应用场景。
IPW60R090C6
GAN063-650WSA
CoolGaN HEMT
