时间：2025/7/10 8:09:44
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TESDN071AD52 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供卓越的性能。
其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，具体取决于制造商的设计标准。该型号以其出色的热稳定性和耐用性著称，适用于各种严苛的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：9nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更低的功率损耗和更高的效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用，例如 DC-DC 转换器和开关电源。
3. 内置反向二极管可有效防止反向电流冲击，提高系统可靠性。
4. 宽泛的工作温度范围允许其在极端环境下保持稳定性能。
5. 小尺寸封装有助于节省 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
6. 高雪崩击穿能量 (EAS) 提升了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器及电池管理系统中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
4. 保护电路如负载开关和过流保护模块。
5. 各种消费类电子产品和工业控制设备中的信号切换功能。
IRFZ44N
AO3400
FDP5500
STP16NF06L
