容量：256MB
　　组织结构：16M x 16 x 8 Banks
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：-40°C 至 +85°C

HY64SD16322B-DF85EDR 是一款具有高性能和低功耗特性的SDRAM芯片。该芯片采用同步设计，使得数据的读取和写入操作能够与系统时钟同步，从而提高系统的整体效率。其多存储体架构（8 Banks）允许同时处理多个内存请求，进一步提升了内存的访问效率。
　　该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其适用于多种电源管理系统。在高速运行条件下，HY64SD16322B-DF85EDR 能够在166MHz的频率下稳定工作，提供高达166MHz的数据传输速率，满足对数据处理速度有高要求的应用场景。此外，该芯片的最大访问时间为5.4ns，确保了快速的数据响应能力。
　　采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，HY64SD16322B-DF85EDR 在物理尺寸上更加紧凑，适合高密度PCB布局，并且具有良好的散热性能。该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、网络设备和通信系统等应用领域。
　　为了进一步优化功耗，HY64SD16322B-DF85EDR 支持多种低功耗模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh），能够在系统处于低负载或待机状态下有效降低能耗。

HY64SD16322B-DF85EDR 通常用于需要高性能内存支持的电子设备，例如工业控制计算机、嵌入式系统、网络交换设备、路由器、视频采集和处理设备等。其高容量和低功耗特性使其特别适合应用于便携式设备和需要长时间运行的系统中。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）和其他工业控制设备中，提供稳定可靠的内存支持。在网络设备中，HY64SD16322B-DF85EDR 可用于缓存数据包和临时存储处理信息，以提高网络传输效率。此外，该芯片还可用于消费类电子产品，如数字电视、机顶盒、游戏机等，以提升系统的整体性能。

IS42S16320B-85TLI, MT48LC16M2A2B4-6A