型号：BPA02K
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：7.8A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：31A
　　导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：6.0mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：470pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：10ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini (P-MSP)
　　功耗(Pd)：1W @ Ta=25°C

BPA02K具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V时仅为7.5mΩ，在VGS=10V时进一步降低至6.0mΩ。这一特性显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，特别适用于对热管理和能耗敏感的应用场景。由于采用了ROHM专有的沟槽结构技术和薄片背面工艺，器件在保持小尺寸的同时实现了优异的电流处理能力。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），有助于减少驱动损耗并加快开关速度，从而支持高频开关操作，适用于高频率DC-DC变换器拓扑如同步整流降压转换器。
　　BPA02K的热阻特性也经过优化，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）约为150°C/W，结合其1W的最大功耗能力，可在合理散热条件下稳定运行。其阈值电压范围为0.6V至1.2V，属于标准逻辑电平兼容类型，可由3.3V或5V GPIO信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，极大简化了控制设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD保护性能，增强了在瞬态过压和静电放电环境下的可靠性。S-Mini封装不仅体积小巧（典型尺寸约1.6mm x 1.6mm），而且引脚布局经过优化，便于自动化贴装和回流焊工艺，适合大规模生产。此外，封装材料符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，使其也可用于汽车电子中的非动力总成类应用。整体而言，BPA02K是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，兼顾效率、尺寸与成本，适合多种现代电子系统的需求。

BPA02K广泛应用于各类需要高效开关控制的低压电源系统中。其典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，在这些设备中，它用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机和动态电源分配。此外，该器件常用于同步整流型DC-DC降压转换器中作为下管或上管使用，尤其在多相VRM（电压调节模块）设计中表现优异，能够有效降低传导损耗，提升转换效率。
　　在工业控制领域，BPA02K可用于驱动继电器、LED灯串或小型直流电机，凭借其快速响应和低静态功耗特性，确保控制系统反应灵敏且运行稳定。其小型化封装也非常适合空间受限的嵌入式系统和模块化电源设计。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于充放电控制开关，配合保护IC实现过流、短路保护等功能。此外，由于其良好的高温工作能力，BPA02K也可部署于车载信息娱乐系统、传感器供电单元等汽车电子子系统中，满足严苛环境下的长期运行需求。在网络通信设备中，如路由器、交换机的板载电源模块，BPA02K同样可用于实现高效的电压转换与稳压功能。总体来看，BPA02K凭借其优良的电气性能和紧凑封装，已成为众多中低功率开关应用中的理想选择。

DMG2307U,RASEMI RA3407A,ON Semiconductor NTSB45N03LT1G