时间：2025/7/1 18:01:07
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TESDN051BD32是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、通信设备等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和功率密度。
其封装形式为TO-247-3，适合大功率应用场合，并且内置了过温保护和短路保护功能，提升了使用的安全性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：32A
导通电阻：40mΩ
栅极驱动电压：6V/10V
工作温度范围：-55℃ to +150℃
开关频率：高达5MHz
1. 基于先进的氮化镓材料，具备更低的导通损耗和开关损耗。
2. 高效支持高频应用，减少磁性元件体积，提升功率密度。
3. 内置多重保护机制，增强产品可靠性。
4. 封装形式兼容主流工业标准，便于设计集成。
5. 适用于硬开关和软开关拓扑结构，灵活性强。
1. 高频AC-DC和DC-DC转换器
2. 通信基站中的功率模块
3. 服务器及数据中心电源
4. 消费类电子快充适配器
5. 工业级电机驱动控制
TESDN050BD32
TESDN052BD32
