工作电压：15V
　　最大钳位电压：24.4V（在IBR=1A时）
　　击穿电压：16.7V（最小值）
　　反向漏电流：1μA（最大值，在VRWM=15V时）
　　电容：0.25pF（典型值，在f=1MHz时）
　　响应时间：小于1ns
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

TESD15G2B具备多项出色的电气和物理特性。首先，其低电容设计（0.25pF）确保了在高速数据传输过程中信号完整性不受影响，使其适用于USB、HDMI和以太网等高速接口的保护。其次，该器件的击穿电压为16.7V，能够在电压超过安全阈值时迅速导通，将过电压引入地，从而保护后级电路。此外，TESD15G2B的响应时间小于1ns，能够在静电放电事件发生的瞬间提供有效的保护。
　　该器件还具有低反向漏电流（最大1μA），在正常工作电压下不会对电路的功耗产生显著影响。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度PCB布局中使用。此外，TESD15G2B的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），适用于各种严苛的环境条件。由于其高可靠性和优异的ESD保护性能，该器件在消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备中得到了广泛应用。

TESD15G2B广泛应用于需要静电放电保护的电子设备中。其主要应用场景包括USB接口、HDMI端口、以太网连接器等高速数据传输接口的保护。此外，它也常用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的敏感电子元件保护，以及工业自动化设备、通信基站和汽车电子系统的ESD防护。该器件的低电容和高速响应特性使其特别适合用于高速信号线路的保护，确保信号完整性不受影响。

PESD15VL2BT-G, ESDA6V1W5B-02