TESD12G2B 时间：2025/9/14 2:57:07 阅读：3

TESD12G2B 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的双通道、低电容 ESD（静电放电）保护二极管阵列，专为高速数据线路设计，适用于需要高信号完整性和 ESD 保护的应用。该器件采用先进的硅雪崩技术，提供卓越的 ESD 保护性能，同时保持极低的电容，以减少对高速信号完整性的干扰。

参数

器件类型：ESD 保护二极管阵列
　　通道数：2
　　反向工作电压（VRWM）：12V
　　钳位电压（VC）：23.2V（在 Ipp = 1A 时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A（每通道）
　　电容（C）：0.35pF（典型值，1MHz）
　　漏电流（IR）：最大 100nA（在 VRWM 下）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

TESD12G2B 的核心特性是其双通道 ESD 保护结构，每个通道都提供独立的双向保护，适合保护差分或单端信号线路。该器件采用了先进的硅雪崩技术，能够在 ESD 事件发生时迅速响应，将高能量静电脉冲安全地引导至地，从而保护下游电路免受损坏。其超低的结电容（0.35pF）确保了对高速信号路径的最小干扰，适用于高达 10Gbps 的数据传输速率。此外，TESD12G2B 具有快速响应时间和高可靠性，符合 IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV 接触放电）标准，提供工业级的 ESD 保护能力。其低钳位电压有助于减少对受保护器件的应力，提高系统稳定性。
　　该器件的 SOT-23 封装形式使其易于集成到紧凑型 PCB 设计中，适用于便携式设备、通信模块、高速接口等应用场景。由于其双向保护能力，TESD12G2B 可用于正负极性信号线，无需额外的极性控制电路，简化了设计流程。此外，该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，可在恶劣的工业环境中稳定运行。

应用

TESD12G2B 广泛应用于需要高速信号保护的电子设备中，例如 USB 3.0、HDMI、DisplayPort 等高速接口的 ESD 保护。它也适用于工业控制系统的通信端口保护、消费类电子产品的数据线保护、网络设备的以太网接口防护，以及车载信息娱乐系统中的高速总线保护。由于其低电容特性，特别适合用于 RF 信号路径、传感器接口和高速 ADC/DAC 电路的静电防护。