FDS6692-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。这款器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率切换的应用场景。它具有较低的导通电阻和较快的开关速度,适用于中高功率应用。
FDS6692-NL采用TO-252封装形式,适合表面贴装工艺。其出色的电气性能使其成为许多电力电子设计中的理想选择。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):27mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot):3.4W
结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg):12nC
反向恢复时间(trr):23ns
FDS6692-NL具备以下主要特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高效率。
2. 快速开关速度,降低了开关损耗,特别适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 低栅极电荷,简化了驱动电路设计并减少了驱动功耗。
5. TO-252封装形式支持表面贴装,便于自动化生产和小型化设计。
6. 广泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于多种环境条件。
FDS6692-NL广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 负载开关和保护电路中的控制元件。
4. 电机驱动和逆变器中的功率开关。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 工业设备和通信设备中的高效功率转换方案。
FDS6690NL, FDP5582NL