FDS6692-NL 时间：2025/6/4 17:11:37 阅读：22

FDS6692-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。这款器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率切换的应用场景。它具有较低的导通电阻和较快的开关速度，适用于中高功率应用。
　　FDS6692-NL采用TO-252封装形式，适合表面贴装工艺。其出色的电气性能使其成为许多电力电子设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：27mΩ @ Vgs=10V
　　总功耗(Ptot)：3.4W
　　结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷(Qg)：12nC
　　反向恢复时间(trr)：23ns

特性

FDS6692-NL具备以下主要特性：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高效率。
　　2. 快速开关速度，降低了开关损耗，特别适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 低栅极电荷，简化了驱动电路设计并减少了驱动功耗。
　　5. TO-252封装形式支持表面贴装，便于自动化生产和小型化设计。
　　6. 广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于多种环境条件。

应用

FDS6692-NL广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
　　3. 负载开关和保护电路中的控制元件。
　　4. 电机驱动和逆变器中的功率开关。
　　5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
　　6. 工业设备和通信设备中的高效功率转换方案。