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FDS6692-NL 发布时间 时间:2025/6/4 17:11:37 查看 阅读:4

FDS6692-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。这款器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效功率切换的应用场景。它具有较低的导通电阻和较快的开关速度,适用于中高功率应用。
  FDS6692-NL采用TO-252封装形式,适合表面贴装工艺。其出色的电气性能使其成为许多电力电子设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):27mΩ @ Vgs=10V
  总功耗(Ptot):3.4W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  栅极电荷(Qg):12nC
  反向恢复时间(trr):23ns

特性

FDS6692-NL具备以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高效率。
  2. 快速开关速度,降低了开关损耗,特别适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 低栅极电荷,简化了驱动电路设计并减少了驱动功耗。
  5. TO-252封装形式支持表面贴装,便于自动化生产和小型化设计。
  6. 广泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于多种环境条件。

应用

FDS6692-NL广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 负载开关和保护电路中的控制元件。
  4. 电机驱动和逆变器中的功率开关。
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 工业设备和通信设备中的高效功率转换方案。

替代型号

FDS6690NL, FDP5582NL

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