时间：2025/6/30 8:47:03
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TESB1R0V05B1X 是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型功率晶体管，适用于高频和高效率的应用场景。该器件采用常关（ normally-off ）设计，确保安全操作，并且具有较低的导通电阻（Rds(on)），以减少传导损耗。
其封装形式为行业标准的DFN5*6封装，能够有效提升散热性能和布局灵活性。此外，该器件内置了ESD保护电路，增强了在实际应用中的鲁棒性。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：5A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：25nC
反向恢复时间：30ns
工作结温范围：-55℃ to 150℃
TESB1R0V05B1X 提供了出色的开关性能，能够在高频条件下维持较低的开关损耗。它采用了先进的GaN材料，使得器件具备更高的功率密度和更小的体积。
此外，由于其低导通电阻，器件在功率转换过程中可以显著降低热耗散。同时，它的快速开关速度也使其非常适合于硬开关和软开关拓扑结构的应用场景。
该器件还具有良好的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的电气性能。其内部集成的ESD保护功能进一步提高了器件的可靠性。
TESB1R0V05B1X 广泛应用于各种高效的功率转换场合，例如DC-DC转换器、逆变器、无线充电模块、以及电动汽车中的车载充电器等它可以用于快速充电适配器的设计中，帮助实现更高功率密度和更小尺寸的充电器。在工业应用中，这款晶体管适合驱动电机控制器或LED照明系统。
其高频率和低损耗的特点也使其成为通信电源、服务器电源等高性能设备的理想选择。
GXT1R0V100B1Z
TESB1R0V05B2Y
GAN042-080DS
