时间：2025/6/5 20:35:54
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TEPSLAOJ107M35E8RLG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为需要高效能和低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提升电路的效率和稳定性。其封装形式紧凑，适合用于空间受限的设计环境。
该型号通常应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高功率密度的电子设备中。其优异的热性能和电气特性使其成为许多工业和消费类电子产品中的首选功率器件。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：52A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：125nC
总电容：310pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TOLL (TO-263-7)
TEPSLAOJ107M35E8RLG 的主要特性包括超低的导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了整体效率。此外，它具备快速的开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。其卓越的热性能允许在高功率应用场景下保持稳定运行。
这款芯片还具有增强的抗雪崩能力和短路耐受能力，确保在异常条件下也能维持可靠性。另外，由于采用了 TOLL 封装，芯片拥有良好的散热性能和电气隔离特性，同时支持自动化的表面贴装生产工艺。
TEPSLAOJ107M35E8RLG 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动控制
- 太阳能逆变器
- 电动工具
- 汽车电子系统
其出色的性能和可靠性使它特别适合需要高效率和高功率密度的工业及消费类应用。
IRFB4110TRPBF, FDP5570N, SiHH090DN
