时间：2025/5/16 17:06:48
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GA1206A6R8DBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效提升系统效率并降低能耗。
其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，同时具备良好的电气特性和可靠性，适用于各种严苛的工作环境。
型号：GA1206A6R8DBEBR31G
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：37nC
总功耗(Ptot)：26W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装：TO-252(DPAK)
GA1206A6R8DBEBR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高开关速度，栅极电荷仅为37nC，确保在高频应用场景下的卓越性能。
3. 耐热增强型封装设计，能够有效散热，支持长期稳定运行。
4. 支持宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种复杂环境。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠，满足现代工业要求。
6. 优越的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了器件的耐用性。
该功率MOSFET适用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率级元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子设备中的负载切换和控制。
5. 工业自动化系统中的电源管理和功率分配。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路。
GA1206A6R8DBEBR31H, IRFZ44N, FDP5500
