类型：栅极驱动器
　　通道数：2（双通道）
　　工作电压范围：4.5V 至 20V
　　输出电流能力：高端1.2A / 低端1.8A
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-8
　　高压隔离能力：支持600V半桥应用
　　传播延迟：典型值为9ns
　　上升/下降时间：典型值为6ns / 5ns
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　栅极驱动电压范围：4.5V 至 20V
　　静态电流：典型值为0.1mA

FGD3325G2具备多项高性能特性，适合用于高要求的功率转换系统。
　　首先，其双通道结构设计使其适用于高端和低端MOSFET/IGBT驱动，适用于半桥拓扑结构，非常适合用于DC-DC变换器、逆变器和电机驱动器等应用。高端通道支持高达600V的浮动电压，极大地增强了其在高压环境下的适应能力。
　　其次，FGD3325G2具备高速驱动能力，其传播延迟时间仅为9ns左右，上升和下降时间也分别只有6ns和5ns，这使得系统能够实现更高的开关频率，从而减小功率电路的体积并提高效率。此外，该器件的输出驱动电流能力较强，高端为1.2A，低端为1.8A，足以支持快速充放电栅极电容，减少开关损耗。
　　第三，FGD3325G2采用自举供电方式，简化了电源设计，并通过内部欠压保护（UVLO）功能保障在供电电压不足时关闭输出，防止MOSFET误动作，提高系统稳定性与安全性。
　　此外，该芯片具有良好的抗干扰能力，输入信号与输出之间具有高隔离度，输入端兼容TTL和CMOS电平，适用于各种控制器接口，包括微控制器、PWM控制器等。其工作温度范围为-40°C至+125°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　FGD3325G2采用紧凑的SOIC-8封装，便于PCB布局，且具有良好的热稳定性，适用于高密度功率设计。

FGD3325G2广泛用于各种功率电子系统中，主要应用包括：
　　? 半桥式DC-DC转换器：在高频率、高效率的DC-DC变换器中，FGD3325G2驱动高端和低端MOSFET，实现快速开关，提高整体转换效率。
　　? 电机控制驱动器：用于无刷直流电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）驱动系统中，作为功率MOSFET/IGBT的驱动器，支持高频PWM控制，提升电机运行的平稳性和效率。
　　? 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC电源、电源适配器、服务器电源等场合，驱动功率开关器件，提升电源的转换效率和可靠性。
　　? 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，用于驱动高压MOSFET或IGBT，实现高效的直流到交流转换。
　　? 工业自动化与变频器：在工业电机控制和变频设备中，FGD3325G2提供可靠的栅极驱动，确保系统在高温、高噪声环境下的稳定运行。
　　由于其高耐压、高速响应和紧凑封装，FGD3325G2特别适合用于空间有限、对性能和可靠性要求较高的应用场合。

FAN3225、IRS2104、LM5112、TC4420、MIC4452