拓扑结构：反激式
　　输入电压范围：85 VAC - 265 VAC
　　输出功率范围：最高可达95 W
　　集成开关类型：GaN（氮化镓）
　　开关频率：可变频率，典型值60 kHz
　　封装类型：InSOP-24D
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　反馈方式：数字反馈（通过FLY引脚）
　　最大占空比：70%
　　过温保护：内置
　　过压保护：有
　　欠压锁定：有
　　同步整流支持：有

Q5016LH3V采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，将高压GaN开关与PWM控制器集成在一个封装内，从而显著提高了电源效率并减少了元件数量。该器件具有高度集成的特性，集成了初级侧控制器、同步整流控制器、数字反馈接口以及多种保护功能，如过载保护、过热保护和输入欠压保护等，简化了电源设计的复杂度。
　　此外，Q5016LH3V具备出色的能效表现，在各种负载条件下均可实现高效率运行，特别适合用于高功率密度的应用，如适配器、充电器、工业电源和家电电源等。其InSOP-24D封装设计具有较高的爬电距离，增强了在高压环境下的可靠性。
　　由于其采用了数字反馈机制，Q5016LH3V无需传统的光耦合器即可实现输出电压的精确调节，从而提高了系统的可靠性和寿命。同时，该芯片支持准谐振工作模式，有助于降低EMI干扰并提高转换效率。

Q5016LH3V广泛应用于各类高效率、高功率密度的AC-DC电源转换系统中，如笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器、工业电源模块、家电电源系统、LED照明驱动电源以及电信设备电源等。其高效的GaN技术和集成化设计使其成为替代传统硅基MOSFET电源方案的理想选择。

Q5016LH3-TL, Q5016LH3V-TL