时间：2025/7/8 17:06:35
阅读：6
TEPC0R15V12B1X 是一种基于氮化镓（GaN）技术的功率电子元件，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管（e-mode GaN FET），能够显著提升电力转换系统的性能。
其封装形式紧凑，适合用于高密度电源设计，并且支持快速开关操作以降低能量损耗。这种元器件广泛应用于 DC-DC 转换器、通信电源、服务器电源以及可再生能源系统等领域。
型号：TEPC0R15V12B1X
类型：GaN 增强型场效应晶体管 (e-mode GaN FET)
工作电压：650 V
额定电流：12 A
导通电阻（最大值）：15 mΩ
栅极驱动电压范围：4.5 V 至 6.0 V
阈值电压：1.5 V 至 3.0 V
最大漏源电压：650 V
功耗（典型值）：低
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
TEPC0R15V12B1X 具有以下关键特性：
1. 高效性：得益于氮化镓材料的低导通电阻和快速开关能力，此器件能实现更高效的功率转换。
2. 快速开关速度：GaN 技术允许更高的开关频率，从而减少磁性元件体积并优化整体设计尺寸。
3. 紧凑型封装：TO-247-4L 封装提供了良好的散热性能，同时保持了小尺寸优势。
4. 高可靠性：经过严格的测试验证，确保在极端条件下也能稳定运行。
5. 环保友好：符合 RoHS 标准，无铅设计对环境影响较小。
TEPC0R15V12B1X 广泛应用于多种场景，包括但不限于以下领域：
1. 数据中心和服务器电源模块
2. 高频 DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备
4. 通信基站中的高效电源解决方案
5. 工业自动化中的驱动电路
6. 消费类快充适配器
这些应用都受益于该器件的高效率、高频响应以及低热阻特点。
TGP65R150C4HA, EPC2049
