时间：2025/8/3 11:27:01
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TEM6540CN 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的功率晶体管，属于 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等领域。TEM6540CN 采用高性能的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于中高功率的开关应用。该器件封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
功耗（Pd）：125W
导通电阻（Rds(on)）：4.0mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-252（DPAK）
TEM6540CN 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其低 Rds(on) 值为 4.0mΩ，使得该器件在高电流应用中仍能保持较低的功耗和温升。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达 100A，适用于大功率负载的开关控制。TO-252（DPAK）封装设计提供了良好的热管理性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 10V 栅极驱动电压，兼容常见的 MOSFET 驱动电路。TEM6540CN 的设计还考虑了短路保护和过热保护的兼容性，使其在电源管理系统中具有更高的可靠性和安全性。
此外，TEM6540CN 在封装上优化了内部结构，降低了寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而提高了系统的稳定性和抗干扰能力。其高耐压特性（60V Vds）使其适用于多种中压应用，如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电动工具和工业自动化设备中的功率控制电路。
TEM6540CN 广泛应用于各种电力电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场景。典型应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备、电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的电源模块等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，由于其良好的热性能和封装设计，TEM6540CN 也适用于需要在恶劣环境下稳定工作的工业控制系统。
Si7461DP, IRF1404, TEM6540CP, TPSD410N
