TEA1112T 时间：2025/10/6 11:53:10 阅读：32

TEA1112T是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的高集成度电源管理集成电路，专为离线式开关电源设计，常用于低功率AC-DC转换应用中。该芯片采用准谐振反激式控制器架构，能够在宽输入电压范围内高效运行，适用于如手机充电器、小型家电电源适配器以及工业控制设备中的辅助电源等场景。TEA1112T集成了多种保护功能和智能控制机制，以提升系统可靠性与安全性。其设计目标是实现高能效、低待机功耗和紧凑的外围电路布局，符合现代节能标准和环保要求。该器件封装形式为DIP8或SOT26，便于自动化生产和散热管理，在成本敏感且对性能有一定要求的应用中具有较强的竞争力。通过优化开关频率和工作模式切换策略，TEA1112T可在不同负载条件下维持较高的转换效率，并有效降低电磁干扰（EMI），减少外部滤波元件的需求。

参数

类型：准谐振反激式控制器
　　工作电压范围：10 V 至 27 V
　　启动电流：低于 50 μA
　　最大占空比：约 90%
　　开关频率：可变，典型值在 50 kHz 至 100 kHz 范围内
　　电流检测阈值：典型 0.85 V（带前沿消隐）
　　集成高压启动单元：支持直接连接整流母线
　　封装形式：DIP8 或 SOT26
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　待机功耗：小于 30 mW（满足 Energy Star 和 CoC 标准）
　　保护功能：过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、过流保护（OCP）

特性

TEA1112T具备多项先进特性，使其在同类产品中表现出色。首先，它内置了高压启动电流源，允许芯片在上电时直接从高压母线获取启动电流，无需额外的外部启动电阻网络，这不仅简化了电路设计，还提高了系统的启动可靠性和长期稳定性。其次，该芯片采用了多模式控制策略，包括准谐振（QR）模式、脉冲频率调制（PFM）模式和突发模式（Burst Mode）。在重载或中等负载下，芯片进入准谐振模式，利用谷底开关技术实现零电压开关（ZVS），显著降低开关损耗并提升效率；在轻载时自动切换至PFM或突发模式，有效抑制输出电压波动的同时大幅降低开关活动，从而实现极低的待机功耗，满足国际能效规范的要求。
　　此外，TEA1112T集成了全面的保护机制。例如，过压保护（OVP）能够监测反馈回路状态，一旦检测到异常高压情况（如光耦失效开路），立即关闭输出驱动信号，防止变压器饱和或输出电压过高损坏后级电路。过温保护（OTP）则通过片内温度传感器实时监控芯片结温，当温度超过安全阈值时触发关断，待冷却后自动恢复运行。同时，芯片具备逐周期电流限制功能，结合前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）技术，避免因MOSFET开通瞬间产生的尖峰电流误触发保护动作，提高抗噪能力和系统鲁棒性。这些特性共同确保了电源系统在各种异常工况下的安全运行。

应用

TEA1112T广泛应用于各类低功率交流直流电源转换器中，特别适合设计输出功率在5W到30W之间的隔离型反激式开关电源。常见应用场景包括智能手机、平板电脑和其他便携设备的墙插式充电器，因其高集成度和低待机功耗特性，有助于制造商满足严格的能源之星（Energy Star）、欧盟CoC Tier 2等能效法规要求。此外，该芯片也适用于智能家居设备的内部电源模块，如Wi-Fi路由器、智能门铃、网络摄像头等需要持续供电但功耗较低的产品。在工业领域，TEA1112T可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电单元、继电器驱动电源等辅助电源设计，提供稳定可靠的低压直流输出。由于其具备良好的电磁兼容性表现和宽输入电压适应能力，TEA1112T同样适合用于全球通用输入（85VAC~265VAC）的电源适配器设计，支持单输出或多组辅助绕组输出配置，适用于消费类电子、白色家电控制板以及LED照明驱动电源等多种场合。其简洁的外围电路结构也有助于缩小PCB尺寸，降低整体物料成本，非常适合对空间和成本敏感的应用需求。