型号：TEA1100TD
　　制造商：STMicroelectronics
　　封装类型：SO-8
　　引脚数：8
　　工作电压范围：10.5V 至 24V
　　启动电压：约9.5V
　　关断电压：约8.5V
　　最大开关频率：100 kHz
　　控制模式：电流模式PWM
　　工作温度范围：-25°C 至 +125°C
　　供电电流（启动时）：约150 μA
　　反馈输入类型：光耦反馈
　　保护功能：过压保护、过流保护、过温保护、前沿消隐
　　启动方式：高压启动电路集成
　　拓扑结构支持：反激式
　　能效等级：符合CoC Tier 2, Energy Star要求

TEA1100TD的核心特性之一是其集成的高压启动电路，这一设计极大地简化了电源系统的启动过程。传统控制器通常依赖外部电阻网络从整流母线电压逐步为控制IC供电，这种方式不仅功耗较高，而且启动速度慢，尤其在轻载或待机状态下效率低下。而TEA1100TD通过内部高压电流源直接从高压母线汲取能量为VCC电容充电，直到达到开启阈值后芯片开始正常工作，随后由辅助绕组供电维持运行。这种机制显著降低了待机功耗，提升了系统整体能效，并增强了启动的可靠性。
　　另一个重要特性是其智能准谐振与PWM模式的无缝切换能力。在重载或满载条件下，芯片可进入准谐振模式，利用MOSFET在漏源电压谷底导通（Valley Switching），减少开关损耗，提高转换效率。而在轻载或空载时，自动转入固定频率PWM模式或突发模式（Burst Mode），降低开关频率和驱动损耗，进一步优化轻载效率，满足严格的节能法规要求。该自适应控制策略无需外部干预即可动态调整工作状态，确保全负载范围内始终保持最优性能。
　　TEA1100TD还具备全面的保护机制，包括逐周期电流限制、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）。其中，LEB功能可有效滤除电流检测信号中的尖峰干扰，防止误触发保护动作，提升系统稳定性。过压保护通过监测反馈回路状态实现，当输出电压异常升高或光耦失效时，芯片会立即停止驱动输出，避免损坏后级电路。过温保护则在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出，待温度恢复后再重启，保障长期运行的安全性。这些多重保护措施使得TEA1100TD非常适合用于对可靠性要求较高的工业和消费类电源产品中。

TEA1100TD广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高能效、小体积和高可靠性的场合。典型应用包括手机、平板电脑和其他便携设备的交流适配器，这类电源通常要求在5W到30W之间具备良好的负载调整率和极低的待机功耗，而TEA1100TD凭借其高效的控制算法和集成启动电路，能够轻松满足这些需求。此外，在家用电器领域，如电视、空调、洗衣机等设备的辅助电源（Auxiliary Power Supply）中，该芯片也被大量采用，用于为微控制器、显示面板和传感器提供稳定的低压直流电源。
　　在工业自动化和控制系统中，TEA1100TD常用于PLC模块、继电器驱动电源、工业传感器供电单元等场景，这些应用对电磁兼容性（EMC）和长期稳定性有较高要求。得益于其准谐振工作模式带来的较低EMI噪声，以及完善的保护机制，TEA1100TD能够在恶劣的工业环境中稳定运行。同时，它也适用于LED照明驱动电源，特别是非隔离型或初级侧调节（PSR）架构的LED驱动方案，在保证亮度一致性和延长灯具寿命方面表现出色。
　　此外，由于其支持宽输入电压范围（适用于全球电网），TEA1100TD可用于出口型电子产品，适应不同国家和地区的供电标准。无论是用于医疗设备的小型化电源模块，还是智能家居网关的嵌入式电源设计，该芯片都能提供简洁、高效且合规的解决方案。其高度集成的设计减少了外围元件数量，有助于缩小PCB面积，降低生产成本，加快产品上市时间。

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