INN3379C-H302-TL 是由 Power Integrations 公司生产的一款高度集成的离线式反激变换器 IC,属于该公司 InnoSwitch?3 系列产品线。该器件集成了高压功率 MOSFET、次级侧同步整流控制器以及数字接口,用于实现高效率和高功率密度的电源设计。INN3379C-H302-TL 采用 PowiGaN? 技术,具有低导通电阻和高频工作能力,适用于 USB PD、适配器、充电器等应用。
拓扑结构:反激式变换器
输入电压范围:80 VAC 至 400 VDC
输出功率:高达 65 W
功率开关集成:集成 725 V PowiGaN MOSFET
输出电压调节精度:±3%
工作频率:约 100 kHz
封装类型:InSOP-24D
保护功能:过温保护、过流保护、过压保护、欠压保护
能效等级:符合 CoC Tier 2 和 DoE Level VI 标准
INN3379C-H302-TL 具有多个显著的性能和设计优势。首先,该器件采用了 Power Integrations 独家的 PowiGaN? 技术,将高压氮化镓 (GaN) 功率开关集成在芯片内部,显著降低了开关损耗,提高了整体能效,同时支持高频工作,有助于减小变压器和整体电源尺寸,提升功率密度。
其次,该 IC 采用了数字接口(FluxLink? 技术),实现了初级侧和次级侧之间的高速通信,无需传统光耦反馈,从而简化了电路设计,提高了系统可靠性。同时,次级侧同步整流控制器的集成进一步提升了电源转换效率,尤其是在中高功率输出的情况下。
此外,INN3379C-H302-TL 具备强大的保护功能,包括过温保护(OTP)、过流保护(OCP)、过压保护(OVP)和欠压保护(UVLO),确保了系统在各种异常情况下的稳定运行。该器件还支持宽范围的输入电压(80 VAC 至 400 VDC),适应性强,适用于全球范围内的电源输入条件。
最后,INN3379C-H302-TL 采用 InSOP-24D 封装,具有良好的散热性能和电气隔离能力,适合高功率密度和紧凑型设计需求。
INN3379C-H302-TL 主要用于需要高效率、高功率密度和小型化设计的电源系统。典型应用包括 USB PD 快速充电器、笔记本电脑适配器、工业电源、机顶盒电源、LED 照明驱动器以及智能家电电源等。由于其集成度高、效率优异和设计简化,该 IC 非常适合用于开发符合现代能效标准的高性能电源解决方案。
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