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TE812P08S 发布时间 时间:2025/8/10 15:44:12 查看 阅读:28

TE812P08S 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路,专为高效驱动功率MOSFET和IGBT(绝缘栅双极晶体管)设计。该器件采用双通道栅极驱动架构,具备高驱动能力和良好的隔离性能,适用于多种电源转换和电机控制应用。

参数

型号:TE812P08S
  封装类型:SSOP
  工作电压:10V 至 30V
  输出电流:最大3.0A(峰值)
  传播延迟:典型值为75ns
  输入信号兼容性:3.3V / 5V / 15V
  隔离电压:3750Vrms(增强型隔离)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  驱动器类型:高压侧和低压侧驱动器

特性

TE812P08S具备多种高性能特性,使其在电源和电机驱动应用中表现出色。首先,该芯片内置了两个独立的栅极驱动通道,分别用于高压侧和低压侧的MOSFET或IGBT,支持半桥和全桥拓扑结构。其高压侧通道支持高达600V的浮动电压,适用于高电压环境下的开关控制。
  其次,TE812P08S具有快速的传播延迟和低延迟偏差,典型传播延迟为75ns,延迟偏差小于10ns,这对于同步双管结构(如推挽式、半桥式)的精确控制至关重要。此外,该器件的输出驱动能力高达3A峰值电流,能够有效缩短MOSFET的开关时间,提高整体效率并降低开关损耗。
  该芯片还集成多种保护功能,包括欠压锁定(UVLO)和交叉传导防止逻辑,确保系统在异常条件下不会误动作。其输入信号兼容性良好,支持从3.3V到15V的宽电压输入,便于与不同类型的控制器接口连接。
  封装方面,TE812P08S采用小型SSOP封装,体积紧凑,便于在空间受限的电路板上安装。同时,其宽工作温度范围(-40°C至+125°C)确保在各种环境条件下稳定运行。

应用

TE812P08S广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。典型应用场景包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、直流-直流转换器、逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高压侧驱动能力和高速响应特性,特别适合用于三相逆变器和BLDC(无刷直流)电机控制电路中。
  此外,TE812P08S也适用于新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。它能够有效提升系统效率,减少热量产生,同时提高整体系统的可靠性和稳定性。
  在消费类电子产品中,如电动工具、变频空调和UPS不间断电源系统,TE812P08S也被广泛采用,以实现紧凑设计和高效能的电源管理。

替代型号

UCC27532, IRS21864, LM5112

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