时间：2025/9/3 15:21:27
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TE53N50 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合在中高功率的开关电源、DC-DC转换器以及电机控制电路中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：53A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-220
TE53N50 MOSFET具有多项优良的电气和物理特性。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用场景，例如开关电源（SMPS）和工业电机控制。该器件的最大漏极电流可达53A，确保其在高负载条件下仍能稳定运行。导通电阻低至0.15Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
此外，TE53N50采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下可靠工作。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还具备较强的机械强度和电气绝缘性能，适用于各种工业和消费类电子产品。
在栅极驱动方面，TE53N50的栅极阈值电压范围为2V~4V，适用于常见的逻辑电平驱动电路，简化了控制电路的设计。同时，该器件具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
TE53N50广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的应用是开关电源（SMPS），包括适配器、充电器和服务器电源等。在这些系统中，TE53N50作为主开关器件，负责将输入的直流或交流电压转换为所需的输出电压，同时保持高效率和稳定性。
该器件也常用于DC-DC转换器中，例如升降压变换器（Buck-Boost Converter）和正激式变换器（Forward Converter），在这些电路中实现高效的能量传输。此外，TE53N50还可用于电机控制、电动工具、电焊机和不间断电源（UPS）等工业设备中，提供可靠的功率开关功能。
由于其优异的电气特性和封装设计，TE53N50也可应用于家用电器，如电磁炉、变频空调和洗衣机等，用于控制高功率负载的开关操作。
TK55E50X, IRF540N, STP55NF06, FDP55N50
