TE53N50 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用TO-220封装,具备较高的耐压能力和较低的导通电阻,适合在中高功率的开关电源、DC-DC转换器以及电机控制电路中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
漏极电流(Id):53A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(最大)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
工作温度范围:-55°C~150°C
封装形式:TO-220
TE53N50 MOSFET具有多项优良的电气和物理特性。其高耐压能力(500V)使其适用于多种高压应用场景,例如开关电源(SMPS)和工业电机控制。该器件的最大漏极电流可达53A,确保其在高负载条件下仍能稳定运行。导通电阻低至0.15Ω,有效降低了导通损耗,提高了系统效率。
此外,TE53N50采用了先进的平面工艺技术,具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下可靠工作。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热,还具备较强的机械强度和电气绝缘性能,适用于各种工业和消费类电子产品。
在栅极驱动方面,TE53N50的栅极阈值电压范围为2V~4V,适用于常见的逻辑电平驱动电路,简化了控制电路的设计。同时,该器件具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。
TE53N50广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的应用是开关电源(SMPS),包括适配器、充电器和服务器电源等。在这些系统中,TE53N50作为主开关器件,负责将输入的直流或交流电压转换为所需的输出电压,同时保持高效率和稳定性。
该器件也常用于DC-DC转换器中,例如升降压变换器(Buck-Boost Converter)和正激式变换器(Forward Converter),在这些电路中实现高效的能量传输。此外,TE53N50还可用于电机控制、电动工具、电焊机和不间断电源(UPS)等工业设备中,提供可靠的功率开关功能。
由于其优异的电气特性和封装设计,TE53N50也可应用于家用电器,如电磁炉、变频空调和洗衣机等,用于控制高功率负载的开关操作。
TK55E50X, IRF540N, STP55NF06, FDP55N50