晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　截止频率（fT）：100MHz
　　噪声系数（NF）：3dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

LBC858BLT1G 晶体管具有多个显著特性，适用于高性能电子电路设计。
　　首先，其高截止频率（fT）为100MHz，这使其非常适合用于高频放大器应用，例如射频前端和中频放大器。晶体管的高频率响应确保了在高频条件下仍能保持良好的增益和稳定性。
　　其次，LBC858BLT1G 的噪声系数较低，典型值为3dB。这使其在低噪声放大器设计中表现优异，尤其适合用于接收器电路中的前置放大器，以提高信号的信噪比。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，从110到800不等，具体取决于工作条件。这一特性使其能够适应多种电路设计需求，例如开关电路、线性放大器和信号处理电路。
　　另外，LBC858BLT1G 的最大集电极-发射极电压（VCEO）为30V，最大集电极电流为100mA，使其能够处理相对较高的电压和电流，同时保持较低的功耗。其最大功耗为200mW，适用于低功耗电子设备的设计。
　　最后，LBC858BLT1G 采用SOT-23封装，这种小型封装不仅节省空间，还支持表面贴装技术，提高了生产效率和电路板的可靠性。

LBC858BLT1G 晶体管在多个领域有广泛的应用，尤其是在需要高频性能和低噪声特性的电路中。
　　在射频（RF）通信系统中，该晶体管常用于前置放大器、射频信号放大器以及混频器电路，以提高系统的灵敏度和信号质量。由于其低噪声系数，它非常适合用于无线接收器和发射器电路中的信号放大。
　　在音频放大电路中，LBC858BLT1G 可以用于前置放大器或中频放大器的设计，提供高增益和低失真的信号放大。其良好的电流增益特性使其成为模拟电路设计中的重要组件。
　　此外，该晶体管还可用于数字电路中的开关应用，例如逻辑门电路、驱动电路和接口电路。由于其较高的工作频率和较低的功耗，它非常适合用于嵌入式系统和便携式电子设备中的开关电路。
　　在工业自动化和传感器系统中，LBC858BLT1G 可用于信号调理和放大电路，帮助提高传感器信号的精度和稳定性。

BC847BLT1G, 2N3904, PN2222A