型号：TE28F800B3T110
　　制造商：Intel / Micron
　　类型：NOR Flash
　　容量：8 Mbit (1 MB)
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：110 ns
　　接口类型：并行（8/16位可配置）
　　封装形式：48-pin TSOP
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：支持硬件WP引脚
　　擦除方式：扇区擦除 / 整片擦除
　　总线宽度：x8/x16 模式可选
　　待机电流：< 20 μA
　　编程电流：典型值 20 mA
　　可靠性：耐久性约 100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：大于 10 年

TE28F800B3T110具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，它采用了Intel先进的NOR Flash工艺，支持XIP（eXecute In Place）功能，这意味着处理器可以直接从该闪存中运行代码，而无需将程序加载到RAM中，从而节省系统资源并加快启动速度。这种特性特别适用于路由器、交换机、PLC控制器等实时性要求高的设备。
　　其次，该芯片支持灵活的扇区架构，通常划分为多个大小不等的扇区（如主块+小扇区组合），允许用户单独擦除某个扇区而不影响其他区域的数据，这对于需要频繁更新配置信息或日志记录的应用非常有利。同时，其命令集兼容JEDEC标准，包括软件复位、查询状态寄存器、暂停/恢复编程操作等高级功能，提升了开发调试的便利性。
　　再者，TE28F800B3T110集成了智能电源管理模式，包含待机模式和深度休眠模式，在非活跃状态下显著降低功耗，适用于电池供电或绿色节能型系统。此外，芯片具备较强的抗干扰能力和宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在恶劣工业环境中稳定运行。其高可靠性设计确保在复杂电磁环境下仍能保持数据完整性，并通过了多项工业级认证。
　　最后，该器件具有良好的兼容性和可替代性，支持多种主流微处理器的地址/数据总线连接方式，且引脚定义清晰，便于PCB布局布线。虽然目前已逐步被新型SPI NOR Flash取代，但在一些老旧平台维护和军工类项目中仍有广泛应用。

TE28F800B3T110广泛应用于各类嵌入式系统和工业电子设备中。常见用途包括作为网络通信设备（如路由器、交换机、DSL调制解调器）的固件存储器，用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置参数。在工业自动化领域，该芯片常被集成于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU）中，承担关键程序存储任务，确保控制系统在断电后仍能保留运行逻辑。
　　此外，该器件也用于医疗仪器、测试测量设备和航空电子系统中，因其具备高可靠性和长期数据保持能力，能够满足这些行业对安全性和稳定性的严格要求。在消费类高端设备中，例如数字电视、机顶盒和打印机控制器，TE28F800B3T110也曾作为主控程序存储介质使用。由于其支持XIP模式，特别适合那些需要快速响应和即时执行指令的场景。
　　在汽车电子方面，尽管当前车载系统更多采用更先进的存储方案，但部分老款车载导航、ECU模块或诊断工具仍可能采用此类并行NOR Flash芯片。此外，军事与航空航天领域的某些加固型设备也选用该型号，得益于其宽温特性和抗辐射设计基础。总体而言，TE28F800B3T110主要定位在中低端嵌入式市场，适用于对成本敏感但又需保证基本性能与可靠性的应用场景。

MT28F800B3T-110
　　SST39VF800A-110-4C-EK
　　AMD AM29LV800D-110EC
　　ESMT F59L800AA-110IP