制造商：Intel
　　系列：StrataFlash
　　存储容量：32 Mbit (4MB)
　　组织结构：2 x 16 Mbit (2 x 2MB) 或 4 x 8 Mbit 分区结构
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-TSOP
　　接口类型：并行（x16 或 x8 模式可选）
　　访问时间：90ns
　　编程电压：内部电荷泵生成高压
　　擦除方式：扇区擦除 / 整片擦除
　　写保护机制：Vpp 引脚控制 / 软件命令锁定
　　总线宽度：可配置为 8 位或 16 位模式
　　待机电流：< 100 μA @ CMOS 兼容输入
　　读取电流：< 20 mA @ f = 1MHz
　　编程/擦除耐久性：典型值 100,000 次循环
　　数据保持时间：> 10 年

TE28F320B3TC90 采用 Intel 第二代 StrataFlash 技术，具备出色的读取性能和高可靠性，适用于严苛的工业环境。其核心特性之一是支持快速随机读取，访问时间为 90ns，能够满足微控制器直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place）的需求，无需将程序加载到 RAM 中，从而简化系统设计并降低整体成本。该芯片提供灵活的扇区架构，包含多个可单独擦除的区块（通常为 64KB 主扇区和 8KB 参数扇区），使开发者可以实现增量更新、固件版本管理和日志记录等功能。这种多扇区设计也便于实施安全启动机制，在系统初始化时验证关键代码完整性。芯片内置智能算法控制编程与擦除操作，通过自动雪崩注入（SAI, Source Avalanche Injection）技术实现高效且稳定的写入过程，并减少对高精度外部编程电压的依赖。为了增强数据安全性，器件支持硬件和软件双重写保护机制：当 Vpp 引脚被拉低或通过特定命令序列锁定后，禁止非法写入或擦除操作，有效防止系统异常或恶意攻击造成的固件破坏。此外，该器件兼容 JEDEC 标准命令集，支持 CFI（Common Flash Interface），主机可通过查询 CFI 表获取芯片的物理参数、电压要求和时序信息，极大提升了系统的兼容性和开发便利性。在低功耗设计方面，TE28F320B3TC90 支持多种省电模式，包括待机模式和深度掉电模式，可在空闲状态下显著降低功耗，延长电池供电设备的工作时间。尽管该芯片不支持现代高速串行接口如 QSPI 或 OCTAL SPI，但其稳定的并行接口协议使其在传统嵌入式平台中依然具有较高的稳定性与成熟度。由于采用了成熟的 CMOS 工艺和严格的制造标准，该器件在抗干扰、热稳定性及长期数据保持能力方面表现出色，适合用于铁路信号系统、医疗仪器、军工电子等对可靠性要求极高的领域。
　　

TE28F320B3TC90 广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和防火墙等通信设备中的固件存储，用于保存操作系统映像、配置文件和启动引导程序。在工业自动化领域，该芯片常被集成于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程 I/O 模块中，承担程序存储和参数备份任务。由于其具备良好的温度适应性和抗电磁干扰能力，也被用于车载电子系统，例如车载导航主机、ECU（电子控制单元）辅助存储模块以及车载诊断设备。此外，在消费类电子产品如数字机顶盒、打印机主控板、POS 终端和安防摄像头中，该芯片可用于存放启动代码和校准数据。在医疗设备中，如便携式监护仪、超声成像前端控制模块，TE28F320B3TC90 可确保关键算法和设备配置在断电后不丢失。因其支持 XIP 运行模式，特别适合资源受限的 MCU 系统，例如基于 ARM7、ColdFire 或 8051 架构的嵌入式平台，能够在不增加外置 RAM 的情况下直接运行应用程序。同时，该芯片还可作为 FPGA 配置数据的存储介质，在上电复位时通过主动并行模式向 FPGA 下载比特流。考虑到当前半导体供应链的变化，虽然该型号已被列入停产清单，但在系统升级、备件替换和逆向工程中仍有大量需求，常被用于维持现有产线的持续运行。对于新设计项目，建议评估兼容替代方案以确保长期供货稳定性。
　　

MT28F320B3TC90
　　IS28F320B3TC90