时间：2025/12/26 16:43:46
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TE28F320B3TA100是英特尔（Intel）公司推出的一款并行接口的32兆位（4MB）NOR型闪存芯片，属于Intel StrataFlash Embedded Memory系列中的第二代产品。该器件采用先进的多层存储技术（MultiLevel Cell, MLC），能够在每个存储单元中存储多位数据，从而在不增加芯片物理尺寸的情况下显著提升存储密度和性价比。TE28F320B3TA100支持x8/x16两种数据总线模式，兼容JEDEC标准的FPB（Flash Parallel Bus）接口，适用于需要中等容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统应用。该芯片广泛应用于工业控制、网络设备、打印机、机顶盒、汽车电子以及通信基础设施等领域，尤其适合对成本敏感但又要求一定性能和耐久性的场合。
这款芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，便于在空间受限的PCB设计中使用，并具备良好的热稳定性和机械强度。其工作电压通常为3.0V至3.6V，支持低功耗待机模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。TE28F320B3TA100内置了智能内部控制器，可自动管理编程、擦除和读取操作，并支持块保护功能以防止意外写入或擦除关键代码区域，增强了系统的数据安全性与稳定性。
型号：TE28F320B3TA100
制造商：Intel
存储类型：NOR Flash
存储容量：32 Mbit (4 MB)
组织结构：2M x 16位 / 4M x 8位
工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
接口类型：并行（x8/x16）
工作电压：3.0V ~ 3.6V
访问时间：100ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：56-pin TSOP Type I
编程电压：内部电荷泵生成
写保护功能：硬件WP#引脚 + 软件块锁定
擦除寿命：典型10万次
数据保持时间：10年以上
TE28F320B3TA100具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有较强的竞争力。首先，其采用的多层单元（MLC）技术允许每个存储单元存储多个比特信息，相较于传统的SLC（单层单元）架构，在相同硅片面积下实现了更高的存储密度，降低了单位存储成本，特别适合对成本敏感的大批量应用。尽管MLC通常在耐久性和数据保持方面略逊于SLC，但该芯片通过优化算法和纠错机制（ECC）有效提升了可靠性和使用寿命，确保在大多数工业和消费类应用场景中表现稳定。
其次，该器件支持x8和x16两种总线宽度模式，用户可根据系统需求灵活配置，兼容广泛的微处理器和微控制器接口标准。其100ns的快速访问时间能够满足中高速代码执行需求，支持XIP（eXecute In Place）功能，即直接从闪存中运行程序代码，无需将代码复制到RAM，从而节省系统资源并加快启动速度。此外，芯片内置智能状态机，可自动完成编程和擦除操作，减轻主控CPU负担，并提供就绪/忙（R/B#）信号输出，便于主机进行异步轮询或中断响应。
在可靠性方面，TE28F320B3TA100集成了多种保护机制。除了标准的软件块锁定功能外，还配备了硬件写保护引脚（WP#），可在上电或异常情况下防止误操作。所有操作均受内部状态机监控，支持VCC和VPP电源跌落检测，避免因电源不稳定导致的数据损坏。同时，器件符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下长期稳定运行，适用于户外设备、车载系统等严苛应用场景。
TE28F320B3TA100因其可靠的性能和适中的容量，被广泛应用于多种嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块中，用于存储固件、配置参数和校准数据。在网络通信设备如路由器、交换机和DSL调制解调器中，该芯片可用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和现场升级。在消费类电子产品方面，常见于打印机、复印机、多功能一体机等办公设备中，用于保存设备驱动、字体库和用户设置。
在汽车电子系统中，该芯片可用于仪表盘控制模块、车身控制模块（BCM）和车载信息娱乐系统的固件存储，尤其是在不需要极高耐久性的辅助功能模块中表现出良好的性价比。此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等需要长期数据保存且对可靠性有一定要求的应用中，TE28F320B3TA100也得到了广泛应用。由于其支持XIP模式，特别适合那些需要直接从闪存运行代码、减少RAM占用的设计方案。随着物联网和边缘计算的发展，这类具备基本性能、高集成度和良好环境适应性的NOR Flash器件仍在特定细分市场中占据重要地位。
S29GL032N90TFI400
MT28EW32ADA-10AITME1
