IRF631是一款由国际整流器公司(International Rectifier,已被英飞凌收购)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件主要设计用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他电力电子应用。其高耐压特性使其适用于需要高电压控制的场景。IRF631采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能和电气稳定性。
IRF631的主要特点是其较高的漏源击穿电压(BVdss),能够承受高达200V的工作电压,同时具备较低的导通电阻(Rds(on)),以减少传导损耗并提高效率。
最大漏源电压:200V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:5.6A
脉冲漏极电流:47A
导通电阻(Rds(on)):1.8Ω(在Vgs=10V时)
总功耗:105W
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
IRF631具有以下关键特性:
1. 高漏源击穿电压(200V),适用于高压环境下的开关操作。
2. 较低的导通电阻(1.8Ω),有效降低功率损耗。
3. 快速开关能力,适合高频应用。
4. TO-220封装提供优异的散热性能。
5. 良好的温度稳定性,可在宽泛的工作温度范围内可靠运行。
6. 符合
这些特性使得IRF631成为高压功率管理电路的理想选择。
IRF631广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统中的功率转换元件。
5. 各种工业控制和家电产品中的高压开关应用。
由于其出色的电气特性和可靠性,IRF631成为许多工程师在设计高压功率电路时的首选器件。
IRFZ44N, IRF540N