TE28F320B3T 时间：2025/12/26 14:10:05 阅读：18

TE28F320B3T是英特尔（Intel）推出的一款并行接口的NOR型闪存芯片，属于Intel StrataFlash家族中的早期产品系列。该器件采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特的信息，从而在保持较小封装尺寸的同时提供较高的存储密度。TE28F320B3T的总容量为32兆位（4兆字节），适用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统应用。该芯片设计用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及消费类电子产品中，具备良好的数据保持能力和耐久性。由于其基于较早的技术平台，目前在市场上已逐渐被更先进、更高性能的闪存解决方案所替代，但在一些遗留系统或对成本敏感的应用中仍可能被使用。该芯片支持标准的JEDEC接口协议，便于与多种微控制器和处理器进行连接，同时内置了内部状态机以简化编程和擦除操作，提升系统集成效率。

参数

型号：TE28F320B3T
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：32 Mbit (4 MByte)
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-48
　　接口类型：并行（x8/x16模式）
　　读取访问时间：90 ns / 120 ns（根据不同速度等级）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　擦除周期：典型值10万次
　　数据保持时间：10年（最小）
　　组织结构：块结构，包含多个可独立擦除的扇区

特性

TE28F320B3T采用Intel专有的StrataFlash技术，结合了NOR Flash的快速随机访问能力与多级单元（MLC）的高密度优势，使其在当时成为嵌入式系统中理想的代码存储与数据记录解决方案。该芯片支持x8和x16两种总线宽度操作模式，系统设计者可以通过配置将设备设置为字节模式或字模式，从而灵活适配不同的主机处理器架构。其内部集成了地址和数据锁存器，降低了对外部逻辑的需求，简化了系统设计复杂度。
　　该器件具备高效的扇区擦除功能，用户可以对特定的扇区进行擦除操作而不会影响其他区域的数据，这对于需要频繁更新部分固件或配置信息的应用非常有利。此外，芯片内建的状态寄存器允许通过查询方式监控编程和擦除操作的执行进度，避免了盲等待，提高了系统响应效率。TE28F320B3T还支持软件命令集控制，包括解锁、自动选择、ID读取、编程、块擦除等标准操作，兼容JEDEC规范，增强了与其他系统的互操作性。
　　为了提高数据可靠性，该芯片集成了错误管理机制，并支持硬件写保护功能，通过WP引脚防止意外写入或擦除，尤其适用于工业环境下的关键数据保护。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保了在恶劣环境条件下的稳定运行。尽管该型号目前已停产或进入生命周期末期，但其设计理念和技术特性仍对后续NOR Flash产品的发展产生了深远影响。

应用

TE28F320B3T广泛应用于各类需要非易失性存储且对读取速度有一定要求的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机等通信设备中的固件存储，工业自动化控制系统中的程序代码保存，以及医疗设备、测试仪器中的配置参数记录。由于其具备较快的随机读取速度，适合XIP（eXecute In Place）操作，即可直接从闪存中执行代码而无需加载到RAM，因此在资源受限的嵌入式处理器系统中具有重要价值。
　　此外，该芯片也被用于一些消费类电子产品，如机顶盒、打印机、POS终端等设备中，用于存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像或应用程序代码。在汽车电子领域，部分早期车型的车载控制模块也曾采用此类闪存器件进行数据存储。虽然随着新型串行NOR Flash（如SPI Flash）和更高密度存储方案的普及，TE28F320B3T的应用已大幅减少，但在维护现有设备、替换故障元件或开发兼容旧平台的新产品时，仍然具有一定的工程参考价值。对于从事逆向工程、设备维修或系统升级的技术人员而言，了解该芯片的工作机制和电气特性仍是必要的技能之一。