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TE28F256P33B95 发布时间 时间:2025/12/26 16:53:59 查看 阅读:5

TE28F256P33B95是一款由Intel(现归属于Micron Technology)生产的并行接口闪存芯片,属于Intel StrataFlash家族中的高性能、低功耗非易失性存储器产品。该器件采用先进的多级单元(MLC)技术,能够在单个存储单元中存储多个比特信息,从而在保持成本效益的同时提升存储密度。TE28F256P33B95具有256兆位(32兆字节)的存储容量,适用于需要大容量、高可靠性嵌入式存储的应用场景。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络基础设施以及汽车电子系统中,提供持久的数据存储能力。其封装形式为48引脚TSOP(薄型小外形封装),便于在空间受限的PCB设计中集成。该器件支持标准的CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)控制信号,兼容通用的SRAM或ROM接口时序,简化了与微控制器、DSP或ASIC的连接。此外,TE28F256P33B95工作电压为3.3V,符合现代低功耗系统的设计需求,并具备宽温度范围工作能力,适合工业级应用环境。

参数

型号:TE28F256P33B95
  制造商:Intel / Micron
  存储容量:256 Mbit (32 MB)
  组织结构:16位数据总线(x16)
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:48-pin TSOP Type I
  访问时间:95ns(最大)
  读取电流:典型值 25mA
  待机电流:典型值 1μA
  编程/擦除耐久性:10万次循环
  数据保持时间:10年(典型)
  接口类型:并行异步接口
  写保护功能:硬件WP#引脚支持
  内部电源管理:内置VPP生成电路

特性

TE28F256P33B95具备多项先进特性,确保其在复杂嵌入式系统中的稳定性和可靠性。首先,它采用了Intel专有的StrataFlash技术,结合多级单元(MLC)与纠错码(ECC)机制,在提升存储密度的同时保障数据完整性。这种架构使得每个存储单元可存储两个比特信息,显著提高了单位面积的存储效率,同时通过片内ECC逻辑自动检测和纠正软错误,增强了长期数据保持能力。
  其次,该器件支持块保护功能,用户可通过软件命令或硬件WP#引脚锁定特定地址块,防止意外写入或擦除操作,特别适用于固件存储等关键应用场景。此外,TE28F256P33B95集成了智能写入状态机(Write State Machine, WSM),能够自动执行编程和擦除操作,减轻主控处理器负担,并确保操作过程符合严格的电压和时序要求,从而提高系统整体稳定性。
  再者,该芯片提供多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,可在不使用时大幅降低功耗,适用于电池供电或对能效敏感的系统。其95ns的快速访问时间满足大多数实时系统的读取响应需求,尤其适合运行XIP(eXecute In Place)应用程序,即直接从闪存中执行代码而无需加载到RAM,节省内存资源并加快启动速度。
  最后,TE28F256P33B95具备出色的抗干扰能力和宽温工作性能,经过严格测试,可在恶劣工业环境中可靠运行。其封装符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造趋势。综合来看,该器件在性能、可靠性和兼容性方面表现出色,是中高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

应用

TE28F256P33B95广泛应用于各类需要高可靠性、大容量非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域,常用于路由器、交换机和基站设备中存储操作系统映像、配置文件和固件程序,支持快速启动和远程升级功能。由于其支持XIP执行模式,可在系统上电后直接从闪存运行引导代码,减少对外部RAM的依赖,加快初始化过程。
  在工业自动化控制系统中,该芯片被用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和数据采集模块,用于保存用户程序、历史数据记录和设备参数设置。其工业级温度范围和抗振动、抗电磁干扰特性使其能在工厂车间等严苛环境下长期稳定运行。
  在网络设备如防火墙、网关和NAS(网络附加存储)系统中,TE28F256P33B95可用于存放Bootloader、安全证书和系统日志信息,配合硬件写保护功能有效防止恶意篡改,提升系统安全性。
  此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘控制模块和ADAS(高级驾驶辅助系统)中存储启动代码和地图数据。虽然并非专为汽车级认证设计,但在部分准汽车级应用中仍具实用价值。
  医疗设备、测试测量仪器和POS终端等也需要可靠的本地存储来保存校准数据、操作日志和用户界面资源,TE28F256P33B95凭借其成熟的技术平台和长期供货保证,成为许多设计工程师的首选方案之一。

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