制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2 M x 8 / 1 M x 16
　　工艺技术：MLC（多级单元）
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-48
　　访问时间：100 ns（最大）
　　编程/擦除耐久性：100,000 次（典型）
　　数据保持时间：10 年（典型）
　　接口类型：并行异步接口
　　写保护功能：硬件 WP 引脚支持
　　擦除扇区大小：64 KB 主块 + 8 KB 小块
　　随机读取电流：20 mA（典型）
　　待机电流：20 μA（典型）

TE28F160S5100采用Intel专有的StrataFlash技术，结合了NOR Flash的快速随机访问能力和MLC技术的高存储密度优势，使其在性能与成本之间实现了良好平衡。
　　该芯片支持x8/x16两种总线宽度配置，允许系统设计者根据实际需求灵活选择数据接口模式，提升系统兼容性和设计灵活性。其内部集成的状态机可自动执行字节/字编程和扇区/整片擦除操作，无需外部控制器持续干预，显著降低了软件开销和系统复杂度。
　　为了增强数据可靠性，器件内置了错误检测与纠正机制（ECC），可在读取过程中识别并修正单比特错误，防止数据损坏。同时，它支持硬件写保护功能，通过WP引脚防止意外写入或擦除操作，保障关键代码和数据的安全性。
　　在电源管理方面，TE28F160S5100具备多种低功耗模式，包括待机、挂起和深度掉电模式，可根据系统运行状态动态切换，有效延长电池供电设备的工作时间。其快速唤醒能力确保从低功耗状态恢复至正常操作的时间极短，满足实时响应要求。
　　该器件还具备出色的抗干扰能力和长期数据保持特性，在高温、高湿及电磁干扰环境下仍能稳定工作，适用于严苛工业环境中的长期部署。此外，Intel提供了完整的开发工具链和技术支持，包括数据手册、应用笔记和参考代码，帮助工程师快速完成系统集成与调试。

TE28F160S5100广泛应用于各类需要可靠、高效非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面和远程I/O模块中存储固件、配置参数和日志数据，其宽温特性和高可靠性确保设备在恶劣环境下长期稳定运行。
　　在网络通信设备中，该芯片可用于路由器、交换机和基站控制器中存放启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，其快速随机读取能力有助于缩短系统启动时间，提升设备响应速度。
　　在消费类电子产品方面，TE28F160S5100适合应用于数字电视、机顶盒、智能家电和便携式多媒体播放器等设备，用于存储用户界面资源、应用程序代码和系统设置信息。
　　此外，在医疗电子设备如监护仪、便携式诊断仪器中，该器件因其高数据完整性和长期稳定性而被用作关键数据的存储介质。
　　汽车电子系统中，尽管该型号并非AEC-Q100认证产品，但在某些非安全相关的车载信息娱乐系统或后装设备中也有应用实例。总体而言，任何需要中等容量、高性能、低功耗且具备良好耐用性的非易失性存储解决方案的场景，均可考虑采用TE28F160S5100作为核心存储元件。

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