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IRFR3704TRRPBF 发布时间 时间:2025/6/12 16:03:46 查看 阅读:7

IRFR3704TRRPBF是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由Vishay公司生产。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
  该器件的工作电压范围为20V,能够满足低压应用需求,并且具备良好的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:36A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:1280pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRFR3704TRRPBF采用了先进的Trench MOSFET技术,使其拥有极低的导通电阻,从而减少传导损耗并提高系统效率。
  此外,它还具有较高的电流承载能力,可以适应大功率应用场景。
  其封装形式为TO-247-3,这种封装提供了良好的散热性能,适合长时间稳定运行。
  由于其快速开关特性和低寄生电感设计,IRFR3704TRRPBF在高频开关应用中表现出色,同时能有效降低EMI干扰。
  该器件还具备出色的短路耐受能力,增强了系统的可靠性和安全性。

应用

该MOSFET广泛应用于工业及消费类电子产品中,包括但不限于以下场景:
  - 开关电源(SMPS)中的同步整流
  - DC-DC转换器中的高端或低端开关
  - 电动工具、家用电器中的电机驱动
  - 各种负载开关和保护电路
  - 能量回收系统和太阳能逆变器中的功率管理
  - 电池管理系统(BMS)中的充放电控制

替代型号

IRFP3704TRPBF, STP36NF06LC, FDP3704

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IRFR3704TRRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1996pF @ 10V
  • 功率 - 最大62W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)