时间：2025/10/30 9:29:29
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TE28F160C3TC-70是Intel公司推出的一款16兆位（2MB）的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash嵌入式存储器系列中的C3代产品。该芯片采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中存储多个比特的信息，从而显著提升存储密度并降低单位容量成本。TE28F160C3TC-70支持x8/x16两种数据总线模式，允许系统设计者根据性能和引脚数量需求灵活配置接口方式。该器件主要面向需要高可靠性、中等容量非易失性存储的工业控制、网络设备、通信基础设施和嵌入式系统应用。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具体为48引脚TSOP-II，便于在空间受限的应用中进行表面贴装。该芯片工作电压为3.0V至3.6V，适用于低功耗应用场景，并具备多种省电模式，如待机模式和深度掉电模式，以进一步优化系统能耗。Intel为该系列芯片提供了完整的软件支持包，包括驱动程序、固件更新工具以及兼容主流嵌入式操作系统的文件系统接口，便于快速集成到目标系统中。此外，该器件具备较强的环境适应能力，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，适合部署于严苛的户外或工业环境中。
型号：TE28F160C3TC-70
制造商：Intel
存储容量：16 Mbit (2 MB)
组织结构：1M x16 或 2M x8
工艺技术：StrataFlash MLC
供电电压：3.0V ~ 3.6V
访问时间：70ns
封装类型：48-pin TSOP-II
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行（OE#, WE#, CE#, BYTE#）
编程/擦除电压：内部电荷泵生成
写保护功能：硬件WP#引脚支持
总线宽度：可配置为x8或x16模式
TE28F160C3TC-70具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，其采用的StrataFlash技术结合了NOR Flash的快速随机访问能力和NAND Flash的高密度优势，在保持字节级寻址能力的同时实现了更高的存储效率。这种架构特别适合需要频繁执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景，例如路由器中的引导加载程序或工业控制器中的固件存储。其次，该芯片内置智能电源管理机制，支持多种低功耗模式，包括自动进入待机状态以及通过命令触发的深度掉电模式，显著延长电池供电设备的续航时间。
在可靠性方面，TE28F160C3TC-70集成了错误检测与纠正（ECC）功能，能够识别并修正一定程度的数据错误，提高长期数据保存的稳定性。同时，它支持块锁定（Block Locking）和软件写保护功能，防止意外擦除或写入关键区域，增强系统安全性。该器件还具备高耐久性，典型擦写次数可达10万次以上，满足工业设备频繁更新日志或配置信息的需求。此外，其支持快速页编程和扇区/整片擦除操作，配合高效的命令集（如解锁、编程、擦除、查询等），可实现灵活且高效的存储管理。
从系统集成角度看，该芯片提供标准的CE#（Chip Enable）、OE#（Output Enable）和WE#（Write Enable）控制信号，易于与微处理器、DSP或FPGA等主控芯片连接。其70ns的访问时间确保了良好的读取性能，适用于中等速度要求的实时系统。48引脚TSOP-II封装具有良好的散热性能和电气特性，适合自动化贴片生产流程。Intel还为该系列提供长期供货承诺和技术支持，有助于客户进行产品生命周期管理。
TE28F160C3TC-70广泛应用于对稳定性、可靠性和中等存储容量有要求的嵌入式系统领域。典型应用场景包括网络与通信设备，如交换机、路由器和基站控制器，用于存储启动代码、操作系统映像和配置参数；工业自动化设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，作为固件和用户程序的持久化存储介质；医疗电子设备，如便携式监护仪和诊断仪器，依赖其高可靠性和宽温工作能力确保数据安全；消费类电子产品中的高端家电和智能仪表也常采用此类闪存来实现功能升级和数据记录。此外，在军事与航空航天领域，由于其具备抗干扰能力强、数据保持时间长（通常可达10年以上）等特点，也被用于某些非关键任务系统的数据存储模块。由于支持XIP（就地执行）模式，该芯片非常适合那些需要直接从闪存运行代码而不必将程序加载到RAM中的系统，从而节省内存资源并加快启动速度。随着物联网边缘节点设备的发展，该类并行闪存在需要本地存储固件备份或运行轻量级操作系统的小型网关设备中仍有重要地位。尽管近年来串行SPI NAND/NOR逐渐普及，但在某些对吞吐带宽和随机访问延迟敏感的传统设计中，TE28F160C3TC-70仍是一个成熟且经过验证的选择。
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