型号：TE28F160C3BD7
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2 M x 8 位 / 1 M x 16 位
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：56-pin TSOP
　　接口类型：并行（x8/x16 模式）
　　读取访问时间：70 ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　总线宽度：可配置为8位或16位模式
　　待机电流：典型值 10 μA
　　编程电流：典型值 20 mA

TE28F160C3BD7具备多项关键特性，使其在嵌入式闪存市场中具有较强的竞争力。首先，该器件采用高性能的命令集架构，支持JEDEC标准的CE（Common Flash Interface, CFI）信息接口，允许主机系统在运行时读取器件的电气特性、阵列结构和定时参数，从而实现自动配置和兼容性管理。这一特性极大简化了系统设计和固件开发流程，提升了多平台间的移植能力。
　　其次，该芯片支持快速读取操作，典型访问时间为70ns，能够满足大多数实时嵌入式系统的性能需求。得益于NOR Flash的物理结构，TE28F160C3BD7支持字节级别的随机访问，使得处理器可以直接从闪存中执行代码（XIP），无需将程序加载至RAM，节省了系统资源并提高了启动效率。
　　在可靠性方面，该器件具备高耐久性的擦写周期，典型的扇区可支持10万次以上的编程/擦除操作，并提供长达20年的数据保持能力，确保长期稳定运行。此外，器件内置了内部电荷泵电路，能够在单电源供电下完成编程和擦除操作，无需外部高压电源，简化了电源设计。
　　TE28F160C3BD7还提供了灵活的扇区架构，包含多个可独立擦除的扇区（如不同大小的块结构），支持局部更新和分区管理，有利于实现固件升级、参数存储和日志记录等功能。同时，硬件写保护引脚（WP#）可在物理层面防止意外写入或擦除，增强数据安全性。
　　该器件符合工业级温度规范（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业自动化、车载设备和户外通信设备等对环境适应性要求较高的应用场景。此外，其低功耗设计在待机模式下仅消耗约10μA电流，有助于延长电池供电系统的续航时间。整体而言，TE28F160C3BD7在性能、可靠性与集成度之间实现了良好平衡，是中等容量嵌入式存储应用的理想选择。

TE28F160C3BD7广泛应用于多种嵌入式系统中，尤其适用于需要可靠代码存储和高效执行能力的场合。在工业控制系统中，该芯片常被用于存储PLC（可编程逻辑控制器）的固件程序、配置参数及启动代码，其高可靠性和宽温特性确保设备在复杂电磁环境和极端温度条件下稳定运行。
　　在网络与通信设备领域，如路由器、交换机、调制解调器和基站模块中，TE28F160C3BD7用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像和网络协议栈代码。其并行接口提供的高速读取能力，保障了设备的快速启动和响应性能，而扇区保护机制则有效防止关键系统文件被误修改。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于仪表盘控制单元、车身控制模块（BCM）和车载信息娱乐系统（IVI）中，存储启动代码、校准数据和诊断程序。其符合AEC-Q100可靠性标准（若为汽车级版本）的特点，使其能够承受车辆运行中的振动、温度波动和电压瞬变。
　　此外，在消费类电子产品如打印机、POS终端、智能家居网关等设备中，TE28F160C3BD7也发挥着重要作用，支持固件在线升级（FOTA）和用户设置的持久化存储。其XIP特性允许MCU直接运行存储在其内部的应用程序，减少对外部RAM的依赖，降低整体系统成本。
　　在医疗设备、测试仪器和航空航天电子系统中，该芯片因其长期数据保持能力和抗干扰设计，也被用于存储关键的操作程序和校准数据，确保设备长时间运行的准确性和一致性。综上所述，TE28F160C3BD7凭借其多功能性和高稳定性，成为众多嵌入式平台中不可或缺的存储组件。

S29GL128P_12FFIR4
　　S29GL128P_12FFIR5
　　MT28EW128ABA1LPC_00A
　　IS28F160C3BD7