型号：TE28F160C3BA110
　　制造商：Intel
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　工艺技术：MLC（Multi-Level Cell）
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　工作电流：典型读取电流 20mA，编程/擦除电流 40mA
　　待机电流：≤ 100μA
　　访问时间：90 ns / 110 ns（根据速度等级）
　　接口类型：x8/x16 可配置
　　封装类型：64-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　写保护功能：硬件写保护引脚（WP#）
　　封装尺寸：14mm x 20mm x 1.2mm（典型）

TE28F160C3BA110 具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先，其多级单元（MLC）技术不仅提升了存储密度，还降低了单位比特成本，相较于传统的单级单元（SLC）闪存在同等面积下实现了更高的容量输出，适用于对成本敏感但又需要一定存储空间的应用场景。其次，该器件支持x8和x16两种总线模式，用户可通过硬件引脚配置或初始化设置决定数据总线宽度，从而在8位微控制器系统或16位处理器架构之间实现无缝兼容，极大增强了系统的灵活性与可扩展性。
　　该芯片内置智能命令集架构，支持标准的JEDEC Common Flash Interface (CFI) 协议，使得主机系统可以动态读取芯片的参数信息（如厂商ID、设备ID、块结构、电压要求等），无需硬编码配置，简化了跨平台移植过程。同时，它提供高效的块擦除机制，整个存储阵列被划分为多个独立可擦除的扇区（sector），最小擦除单位为64KB，允许局部更新而不影响其他数据区域，提高了写操作效率并延长了整体寿命。
　　为了确保数据完整性，TE28F160C3BA110 集成了多种可靠性增强机制。其中包括内建的错误检测与纠正码（ECC）功能，在读写过程中自动识别和修正单比特错误，并标记多比特错误以供系统处理；此外，还具备电源故障保护机制，在电压异常下降时暂停写入操作，防止数据损坏。芯片还配备硬件写保护引脚（WP#），可在物理层面锁定寄存器或特定地址区间，防止误编程或意外擦除，特别适用于固件保护等安全关键场景。
　　在性能方面，该器件具有快速随机读取能力（最短访问时间可达90ns），满足实时操作系统和直接XIP（eXecute In Place）应用的需求，即CPU可以直接从闪存中执行代码而无需加载到RAM，节省内存资源并加快启动速度。其低功耗设计也适合电池供电设备，待机模式下电流消耗低于100μA，有效延长续航时间。最后，Intel为该系列提供长期供货承诺和技术支持，确保工业客户在产品生命周期内的供应链稳定性。

TE28F160C3BA110 主要应用于各种嵌入式系统和工业电子设备中，尤其适用于需要可靠、持久且中等容量非易失性存储的场合。常见应用领域包括网络路由器、交换机和基站控制器，其中用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和远程固件升级。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块，保存用户程序、参数设置及运行日志数据，确保断电后信息不丢失。
　　此外，该器件也广泛用于医疗仪器、测试测量设备和POS终端等商业设备中，承担固件存储和关键数据备份任务。由于其具备工业级温度耐受能力和高抗干扰特性，因此在户外通信设备、车载电子系统和轨道交通控制单元中也有广泛应用。在消费类高端设备中，如数字视频录像机（DVR）、安防摄像头和智能家居网关，TE28F160C3BA110 可作为主闪存用于存放操作系统和应用程序，支持XIP运行模式，提升响应速度。
　　得益于其标准化接口和CFI兼容性，该芯片易于集成到基于ARM、PowerPC、MIPS 或 8051 架构的嵌入式处理器系统中，并可配合实时操作系统（RTOS）实现可靠的存储管理。对于需要长期稳定供货和高可靠性的项目，TE28F160C3BA110 是一个经过市场验证的选择。随着Intel逐步退出部分NOR Flash市场，该型号虽已进入停产或生命周期末期阶段，但在现有设备维护和替代设计中仍具有重要参考价值。

S29GL128P_110
　　S29GL128S_110
　　MT28EW160A
　　IS26LV160B