时间：2025/11/12 16:18:43
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K4AAG045WB-MCRC 是由三星（Samsung）生产的一款高性能、低功耗的DRAM存储器芯片，属于其GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）系列。该芯片专为高带宽需求的应用场景设计，广泛应用于现代图形处理单元（GPU）、高端显卡、数据中心加速器、人工智能（AI）计算平台以及高性能计算（HPC）系统中。K4AAG045WB-MCRC采用先进的制造工艺和封装技术，具备出色的信号完整性和热稳定性，能够在高频下稳定运行，满足严苛的性能要求。该器件工作电压较低，有助于降低整体系统功耗，同时提供极高的数据传输速率，是当前主流高端显存解决方案之一。其名称中的“K4AA”代表三星GDDR6产品线，“G045”表示单颗容量为16Gb（即2GB），而“WB”通常指细间距球栅阵列（Fine-Pitch BGA）封装形式，适合高密度PCB布局。后缀“MCRC”可能包含特定的速率等级、温度范围和可靠性规格信息，适用于工业级或扩展温度范围的应用环境。
类型：GDDR6 SDRAM
容量：16 Gb (2 GB)
组织结构：2048M x 32
工作电压：VDD / VDDQ = 1.35 V ± 0.05 V
I/O电压：VDDIO = 0.6 V ± 0.05 V
数据速率：14 Gbps / 16 Gbps / 18 Gbps 可选（具体取决于速度等级）
接口宽度：32位
封装类型：FBGA, 82-ball
封装尺寸：10 mm x 13 mm x 0.7 mm（典型值）
刷新周期：标准自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式
工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温Tj）
符合RoHS指令：是
K4AAG045WB-MCRC 具备多项先进技术特性，以支持极高带宽和低延迟的数据访问。首先，它采用了双倍数据速率架构，在时钟的上升沿和下降沿均传输数据，显著提升了有效传输速率。其核心频率可达约900MHz，配合16n预取架构和八倍数据速率机制，可实现高达18 Gbps的I/O数据速率，单颗芯片带宽超过72 GB/s。这种级别的性能使其成为驱动现代4K/8K游戏、实时光线追踪、深度学习训练与推理等计算密集型任务的理想选择。
其次，该芯片集成了多种电源管理功能，包括动态电压调节、局部阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）和深度掉电模式（Deep Power Down Mode），可在负载较低时大幅降低功耗，延长设备续航并减少散热压力。此外，其差分时钟输入（CK_t/CK_c）和源同步数据选通（WCK_t/WCK_c）设计确保了高速信号的精确同步，提高了抗噪声能力和信号完整性。
在可靠性方面，K4AAG045WB-MCRC 支持错误检测与纠正机制（如写入DBI、读取数据掩码DQM、数据总线反转DBI等功能），增强了数据传输的准确性。其82-ball FBGA封装具有良好的热传导性能，并兼容主流SMT生产工艺，便于大规模自动化组装。整个设计遵循JEDEC标准GDDR6规范，保证与其他系统的互操作性，同时也支持多芯片堆叠（PoP）和高密度PCB布线方案，适用于紧凑型高端显卡模块设计。
K4AAG045WB-MCRC 主要用于需要极高内存带宽的先进计算平台。最常见的应用场景是独立显卡领域，被广泛集成于NVIDIA、AMD等厂商的高端GPU模组中，用于支持4K乃至8K分辨率下的高清游戏渲染、实时视频编辑、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）体验。在人工智能和机器学习领域，该芯片作为AI加速器（如TPU、NPU）的配套显存，承担大规模矩阵运算过程中的高速数据交换任务，提升模型训练效率。
此外，该器件也适用于高性能计算（HPC）系统，例如超级计算机节点、科学模拟服务器和大数据分析平台，其中对内存吞吐量的要求极为严苛。在数据中心中，搭载此类GDDR6芯片的FPGA加速卡或智能网卡可用于网络包处理、数据库加速和加密解密运算。
由于其具备较高的环境适应性和长期运行稳定性，K4AAG045WB-MCRC 还可用于部分工业视觉系统、医疗成像设备以及自动驾驶感知平台中的图像处理单元。这些应用通常要求在复杂电磁环境和宽温条件下持续稳定运行，而该芯片的设计正满足此类需求。随着边缘计算和AIoT的发展，未来该型号也可能出现在更多嵌入式高性能视觉处理模块中。
K4AAG085WC-MCRA
K4ZAG325BC-MCBL
MT6XG4D8LAXXX
