时间：2025/10/22 10:23:52
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TE28F128P33B85A是一款由英特尔（Intel）生产的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash Memory家族中的单电压供电、低功耗的NOR Flash存储器产品线。该器件采用先进的封装技术与制造工艺，适用于需要高可靠性、中等存储容量和快速随机访问的应用场景。TE28F128P33B85A的总存储容量为128兆位（Mbit），即16兆字节（MB），组织方式为8位或16位数据宽度可选，便于在不同的系统架构中灵活使用。这款芯片广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等领域，因其具备良好的耐用性和数据保持能力，在恶劣环境或长期运行系统中表现出色。其工作电压为3.3V典型值，符合低功耗设计趋势，并支持多种省电模式，如待机模式和掉电模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外，该芯片内置了命令寄存器接口，支持JEDEC标准的命令集，允许执行编程（写入）、擦除和读取操作，同时具备硬件写保护功能以增强数据安全性。TE28F128P33B85A还具备较高的擦写寿命，通常可支持10万次以上的擦除/编程周期，并能保证至少20年的数据保存时间，适合用于固件存储、配置信息保存和小规模数据记录等用途。由于其停产状态，目前多见于维修替换或库存使用场景，但在一些老式设备维护中仍具有重要价值。
型号：TE28F128P33B85A
制造商：Intel
类型：NOR Flash
容量：128 Mbit (16 MB)
组织结构：8/16位数据宽度可选
供电电压：2.7V ~ 3.6V（典型3.3V）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：TSOP-56
接口类型：并行接口（CE, OE, WE 控制信号）
访问时间：85ns
编程电压：内部电荷泵生成，无需额外高压
擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
写保护功能：硬件WP引脚支持
掉电保护：支持
可靠性：擦写次数 ≥ 100,000 次，数据保持 ≥ 20 年
TE28F128P33B85A具备多项关键特性，使其在嵌入式系统和工业应用中表现优异。首先，该芯片采用StrataFlash技术，这是一种多层存储单元（MLC）NOR Flash技术，能够在保持NOR Flash高速随机访问优势的同时提升存储密度并降低成本。尽管是MLC结构，但通过优化算法和纠错机制，Intel确保了其在关键应用场景下的可靠性和稳定性。其次，该器件支持8位和16位两种数据总线模式，用户可通过硬件引脚配置选择所需的工作模式，从而兼容8051、ARM7、ColdFire等多种微控制器和处理器架构，增强了系统的灵活性和兼容性。
另一个显著特点是其低功耗设计。TE28F128P33B85A在读取模式下仅消耗约20mA电流，在待机模式下可降至数微安级别，特别适用于便携式设备或远程部署的工业终端。芯片内部集成电荷泵电路，可在编程和擦除操作时自动生成所需的高电压，无需外部提供Vpp编程电压，简化了电源设计并提高了系统安全性。此外，它支持分区域擦除功能，包括可编程大小的扇区和块结构，允许对部分存储区域进行独立更新，避免全片擦除带来的效率损失，尤其适合需要频繁更新固件或日志数据的应用。
该芯片还具备强大的数据保护机制。除了标准的软件写保护命令外，还配备了硬件写保护引脚（WP#），当此引脚被拉低时，可物理阻止对状态寄存器和部分关键区域的修改，防止因异常复位或电源波动导致的数据损坏。同时，器件符合JEDEC标准命令集规范，支持自动擦除、编程暂停、错误检测等功能，提升了整体操作的安全性与可控性。最后，其TSOP-56小型化封装不仅节省PCB空间，而且具备良好的热稳定性和机械强度，适合在振动、高温等严苛环境中长期运行。
TE28F128P33B85A广泛应用于多个工业与通信领域。典型用途包括网络路由器、交换机中的固件存储，用于存放Bootloader、操作系统映像和配置文件；在工业控制系统中作为PLC或HMI设备的程序存储介质，支持现场升级与调试；在医疗设备中用于保存校准数据和运行日志，确保数据长期可靠；在POS终端、条码扫描器等商业设备中实现快速启动和安全存储。此外，该芯片也常见于航空电子设备、测试仪器和军事通信系统中，承担关键代码的非易失性存储任务。由于其支持XIP（eXecute In Place）功能，CPU可直接从该Flash中执行代码，无需将程序加载到RAM，大幅减少系统内存需求并加快启动速度，因此在资源受限的嵌入式系统中尤为重要。随着该型号逐步停产，现多用于现有设备的维修替换、备件补充或生命周期管理项目中，但仍因其稳定性而在特定行业中持续服役。
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