制造商：Intel (now Micron)
　　系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储容量：128 Mbit
　　存储组织结构：8M x 16-bit
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V (典型3.3V)
　　访问时间：85ns
　　接口类型：并行（地址/数据复用或非复用模式）
　　封装形式：56-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程/擦除耐久性：100,000次（典型）
　　数据保持时间：10年（最小）
　　电源电流：待机电流 ≤ 150μA，读取电流 ≤ 25mA
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压

TE28F128P33B85采用Intel专有的ETOX（EPROM Technology Oxide-Nitride-Oxide）工艺制造，结合多级单元（MLC）技术，在保证高密度存储的同时维持良好的数据可靠性。每个存储单元通过精确控制浮栅中的电荷量来表示多个逻辑状态，从而实现每单元存储两个比特信息的能力，显著提升了存储效率。该技术使得在相同硅片面积下可提供更高的有效容量，降低了单位比特成本，非常适合成本敏感但需要一定存储容量的嵌入式应用。
　　该芯片支持多种操作模式，包括读取、编程（字编程）、块擦除和整片擦除。其内置的写状态机（Write State Machine, WSM）能够自动执行复杂的编程和擦除算法，用户仅需发送命令序列即可启动操作，无需干预底层时序控制，极大简化了软件驱动开发难度。WSM还提供操作完成或错误状态反馈，增强系统健壮性。
　　为了提升系统性能，TE28F128P33B85支持异步读取模式，具有85ns的快速访问时间，足以满足多数微控制器或DSP直接寻址运行代码的需求。此外，器件支持硬件复位功能，可通过#RESET引脚强制芯片进入已知状态，避免异常操作导致系统挂起。电源管理方面，芯片具备多种低功耗模式，如待机模式和深度睡眠模式，可根据系统需求动态切换以节约能耗。
　　在可靠性方面，该器件经过严格测试，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的工业控制、网络设备和车载电子系统。其数据保持能力长达10年以上，并具备抗干扰能力强、抗辐射特性优良等优点。同时，Intel提供了完整的开发工具链和技术文档支持，便于客户进行产品评估与系统集成。

TE28F128P33B85广泛应用于各类需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器，其中用于存储固件程序、配置参数及校准数据，因其具备良好的温度适应性和长期数据保持能力，适合部署在工厂环境中长时间运行的设备。在网络通信设备如路由器、交换机和DSL调制解调器中，该芯片常被用作引导代码（Boot Code）存储器，支持快速启动和可靠更新。由于其支持eXecute-In-Place（XIP）功能，处理器可直接从闪存中执行初始化代码，减少对额外SRAM的需求，从而降低整体系统成本。
　　在消费类电子产品中，TE28F128P33B85可用于打印机、机顶盒、智能家居控制模块等设备，存储操作系统映像、应用程序代码以及用户设置信息。其并行接口提供了较高的数据吞吐率，适合频繁读取操作的场合。此外，在医疗仪器和测试测量设备中，该芯片用于保存关键的诊断程序和设备校准表，确保设备断电后仍能保留重要信息。
　　汽车电子领域也是其重要应用方向之一，例如车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载信息娱乐系统（IVI），其中要求元器件具备高可靠性和长生命周期支持。TE28F128P33B85的工业级温度范围和成熟的技术平台使其成为此类应用的理想选择。此外，该器件还可用于POS终端、安防监控设备和远程数据采集终端等需要稳定持久存储的场景。

MT28F128J3A-85