型号：TE28F128J3C-120
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：8M x 16 bits
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：120 ns
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：56-pin TSOP
　　接口类型：并行（x16）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：软件写保护
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　读取模式：随机读取、页读取

TE28F128J3C-120具备多项关键技术特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有较强竞争力。首先，该芯片采用Intel的MLC（Multi-Level Cell）技术，在每个存储单元中存储两个比特的数据，显著提升了存储密度而无需增加物理尺寸，从而降低了单位存储成本。这种设计特别适合对成本敏感且需要较大程序存储空间的应用场景。其次，该器件支持快速随机读取访问，典型访问时间为120纳秒，能够满足高性能微处理器直接从Flash执行代码（XIP, eXecute In Place）的需求，避免了将程序加载到RAM的额外开销，提高了系统响应速度和能效。
　　该芯片内置电荷泵电路，可在编程和擦除操作期间自动生成所需的高压，仅需单一的2.7V~3.6V电源即可完成所有操作，简化了电源设计并减少了外部元件数量。此外，TE28F128J3C-120支持灵活的扇区架构，允许对存储阵列进行细粒度管理，用户可独立擦除或编程特定扇区，便于实现固件更新、日志记录和数据分区等功能。软件写保护机制可防止意外写入或擦除，增强了数据可靠性。该器件还兼容JEDEC标准命令集，包括常见的CUI（Common Flash Interface）接口协议，确保与多种处理器和开发工具的良好兼容性，缩短系统开发周期。
　　在可靠性方面，TE28F128J3C-120经过严格测试，支持高耐久性（典型擦写次数达10万次）和长达20年的数据保持能力，适用于长期运行的工业和通信设备。其工业级温度范围保证了在极端环境下的稳定性能。尽管该器件为并行接口，带宽较高，但相对现代串行NOR Flash而言功耗略高且引脚数较多，因此更适合注重性能和兼容性的传统设计平台。总体而言，TE28F128J3C-120是一款成熟可靠、性能均衡的并行NOR Flash解决方案。

TE28F128J3C-120主要应用于各类需要大容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，它常被用于路由器、交换机和基站设备中存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像和设备配置文件，确保系统断电后信息不丢失，并支持远程固件升级。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块中保存用户程序、参数设置和校准数据，其工业级温度特性和高耐久性保障了工厂环境下长时间稳定运行。
　　在网络设备如防火墙、DSL调制解调器和无线接入点中，TE28F128J3C-120作为主程序存储器，支持快速启动和安全写保护，防止恶意篡改。在消费类电子产品中，例如数字电视、机顶盒和多媒体播放器，该芯片用于存放固件和图形资源，配合XIP功能实现流畅的开机体验。此外，在医疗仪器、测试测量设备和汽车电子控制单元（ECU）中，该器件也因其高可靠性和长期供货能力而得到应用。由于其并行接口提供较高的数据吞吐率，特别适用于需要频繁读取大量程序代码的场景。随着系统向小型化和低功耗发展，部分新设计可能转向SPI或QSPI接口的NOR Flash，但在现有平台维护、工业升级项目和高稳定性要求场合，TE28F128J3C-120仍具有重要价值。

MT28EW128ABA1LPC-120: Micron推出的兼容替代型号，同为128Mbit并行NOR Flash，支持宽电压和工业温度范围，具备良好兼容性。
　　IS28F128J3C-120: Intel后续由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）提供的兼容产品线，功能和引脚定义高度一致，适合直接替换。
　　S29GL128S11TFIR5: Cypress（现Infineon）生产的128Mbit Spansion GL-S系列NOR Flash，支持多功能接口（包括并行模式），具备更快的访问速度和更低功耗，可通过硬件适配兼容原设计。