时间：2025/8/4 17:41:22
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RFN12N15是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高频率开关和功率放大电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和音频放大器等应用领域。RFN12N15通常采用TO-220或DPAK封装，便于散热和集成。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：12A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
功耗（Pd）：80W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220、DPAK
RFN12N15具有优异的电气性能和热稳定性，其低导通电阻确保了在高电流应用中更低的功率损耗，提高了整体效率。该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压可达150V，适合高压环境下的稳定运行。栅源电压支持±20V，提供了更宽的驱动电压范围，增强了器件的适用性。
此外，RFN12N15采用了先进的平面工艺，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提升响应速度。器件的热阻较低，有助于在高负载条件下保持稳定的温度表现，延长使用寿命。同时，其封装设计便于安装散热片，进一步增强了散热能力。
在可靠性方面，RFN12N15通过了严格的工业标准测试，具备良好的抗静电能力和耐久性，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。
RFN12N15常用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动电路、音频功率放大器以及工业自动化设备中的功率控制模块。在汽车电子系统中，该器件也可用于电源管理和电机控制应用。
IRF12N15、FDP12N15、STP12N15、BUZ12N15
