IR3S69 是一款由日本三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的绝缘栅双极晶体管(IGBT),广泛用于需要高效率和高性能的功率电子设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适合用于逆变器、变频器和电机控制等应用。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):50A
最大工作温度:150°C
封装类型:TO-247
短路耐受能力:有
栅极阈值电压:约5.5V
导通压降:约2.1V
IR3S69 IGBT具有优异的导通性能和开关特性,其最大集电极-发射极电压为1200V,能够在高电压环境下稳定运行。器件的最大集电极电流为50A,适用于大功率应用场景。IR3S69采用TO-247封装形式,便于安装和散热,同时具备良好的机械稳定性和电气隔离性能。
此外,IR3S69具备短路耐受能力,能够在短时间的短路条件下不损坏,提高了系统的可靠性和安全性。栅极阈值电压约为5.5V,确保了器件的可靠导通,同时降低了误触发的风险。导通压降约为2.1V,在保证低功耗的同时提供了高效的导通性能。
IR3S69 IGBT常用于工业电机驱动、变频器、逆变器、电源转换系统以及电动汽车的功率控制系统。其高电压和大电流承载能力使其成为各种高功率电子设备的理想选择。
IRG4PC50U, FGA25N120ANTD