制造商：Intel
　　系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储类型：闪存
　　存储容量：16 Mbit
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　接口类型：并行
　　时钟频率：无内部时钟（异步操作）
　　访问时间：110 ns
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP-48
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：硬件和软件支持
　　擦除方式：按块/扇区擦除
　　耐久性：典型10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：典型10年

TE28F016B3T110具备多项先进特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。
　　首先，它采用了Intel独有的多层单元（Multi-Level Cell, MLC）技术，在相同的物理存储单元中通过不同电平状态存储多个比特信息，显著提高了存储密度并降低了单位比特成本。相比传统SLC（单层单元）闪存，MLC在容量扩展方面更具优势，同时仍能维持较高的数据可靠性。该芯片支持两种数据宽度配置模式——8位（x8）和16位（x16），用户可根据系统总线架构灵活选择，提升了与不同微处理器或控制器的兼容性。
　　其次，TE28F016B3T110内置智能命令集架构，支持JEDEC标准的Common Flash Interface (CFI)，允许主机系统动态读取芯片的参数信息（如厂商ID、设备ID、块结构、电压要求等），从而实现自动配置和即插即用功能。这一特性极大简化了系统开发流程，减少了固件硬编码的需求，增强了系统的可维护性和可移植性。
　　再者，该器件提供了全面的数据保护机制。包括硬件写保护引脚（WP#），可在物理层面锁定部分或全部存储区域；同时支持基于软件指令的块锁定功能，允许用户按需设置某些扇区为只读状态，防止误操作导致固件损坏。此外，芯片内部集成电荷泵电路，能够在标准I/O电压下完成编程和擦除操作，无需外部高压电源，简化了电源设计。
　　最后，TE28F016B3T110优化了功耗管理策略，支持多种低功耗模式，如待机模式和深度掉电模式，有助于延长电池寿命，特别适用于便携式设备和远程监控终端。其经过验证的高耐久性和长期数据保持能力也使其适用于工业控制、网络设备和医疗仪器等严苛应用环境。

TE28F016B3T110广泛应用于各类对稳定性、耐用性和集成度有较高要求的嵌入式系统中。
　　在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业网关中，用于存储固件代码、配置参数和校准数据。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保在极端环境下依然稳定运行。
　　在通信设备中，如路由器、交换机和基站控制模块，TE28F016B3T110被用来存放启动代码（Bootloader）、操作系统镜像和运行日志，其快速读取速度有助于缩短设备启动时间，提升系统响应效率。
　　消费类电子产品方面，该芯片可用于打印机、数码相机、POS终端和智能家居控制器等设备，提供可靠的本地存储方案。尤其在需要频繁更新固件但又不能牺牲可靠性的场景下表现优异。
　　此外，在汽车电子系统中，虽然并非AEC-Q100认证器件，但在一些非安全关键的车载信息娱乐系统或后装设备中仍有应用实例。医疗设备制造商也会选用此类经过长期市场验证的闪存芯片来存储设备配置文件和诊断程序。
　　随着物联网的发展，许多边缘计算节点和传感器网关也采用类似TE28F016B3T110的并行NOR Flash作为主存储器，因其具备随机访问能力和执行就地执行（XIP, eXecute In Place）特性，使得CPU可以直接从闪存中运行代码，无需先加载到RAM，节省了内存资源并降低了系统复杂度。

S29GL016D90TFIR2
　　MT28EW016ADA-110
　　IS28F016B3T110