时间：2025/4/28 18:00:33
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AP.17E.07.0064A是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而能够显著提高系统效率并减少发热。此外，其坚固的设计使其在各种严苛的工作条件下仍能保持稳定性能。
型号：AP.17E.07.0064A
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压Vds：70V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：30A
导通电阻Rds(on)：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷Qg：50nC（典型值）
输入电容Ciss：2200pF（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+175℃
AP.17E.07.0064A的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，可以有效减少开关损耗，并适用于高频应用。
3. 高电流处理能力，支持高达30A的连续漏极电流。
4. 强大的抗雪崩能力，可承受短时间内的过载或异常状况。
5. 宽泛的工作温度范围，使其能够在极端环境下可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业需求。
这些特性使得AP.17E.07.0064A成为多种功率转换和控制应用的理想选择。
该芯片主要应用于以下领域：（SMPS），用于实现高效的电压转换。
2. DC-DC转换器，特别是在汽车电子和工业设备中。
3. 电机驱动电路，支持大功率直流无刷电机或其他类型的电机。
4. 太阳能逆变器，用于能量管理与传输。
5. 各类负载切换应用，例如服务器、通信设备中的动态负载控制。
由于其出色的性能和可靠性，AP.17E.07.0064A在需要高效功率转换和精确控制的应用场合非常受欢迎。
AP.17E.07.0063A, IRF840, STP30NF06
