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H5TQ4G83EFR-RDI 发布时间 时间:2025/9/2 6:38:05 查看 阅读:9

H5TQ4G83EFR-RDI是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM存储器,广泛应用于计算机、服务器、网络设备以及消费类电子产品中。作为一款采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装的DRAM芯片,H5TQ4G83EFR-RDI在存储容量和数据传输速度方面表现优异。

参数

容量:4Gb
  类型:DRAM
  组织方式:x8/x16
  工作电压:2.3V ~ 3.6V
  封装类型:FBGA
  引脚数量:54pin
  最大时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  刷新周期:64ms
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H5TQ4G83EFR-RDI是一款高性能的DRAM芯片,其采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和高可靠性特点。该芯片支持异步和同步两种操作模式,能够适应多种系统设计需求。其异步模式下提供灵活的地址和数据访问方式,而同步模式则通过时钟信号实现精确的数据控制,提高了数据传输的稳定性和效率。
  该芯片的FBGA封装形式有助于提高PCB布局的灵活性,并减少了信号干扰,适用于高密度电路板设计。此外,H5TQ4G83EFR-RDI具有较长的数据保持时间,能够在断电情况下通过刷新操作保持数据完整性,适用于需要临时数据存储的应用场景。
  这款DRAM芯片在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定工作,适合用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等对环境适应性要求较高的领域。

应用

H5TQ4G83EFR-RDI常用于需要大容量临时数据存储的系统中,如嵌入式控制器、工业计算机、网络交换机、路由器、视频监控设备以及消费类电子产品(如智能电视和游戏机)。由于其高可靠性和宽温工作特性,也广泛应用于汽车电子系统和工业自动化设备中。

替代型号

H5TQ4G83EFR-RDC, H5TQ4G83EFR-HRI, H5TQ4G83EFR-SBC

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