时间：2025/9/2 6:38:05
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H5TQ4G83EFR-RDI是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM存储器，广泛应用于计算机、服务器、网络设备以及消费类电子产品中。作为一款采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装的DRAM芯片，H5TQ4G83EFR-RDI在存储容量和数据传输速度方面表现优异。
容量：4Gb
类型：DRAM
组织方式：x8/x16
工作电压：2.3V ~ 3.6V
封装类型：FBGA
引脚数量：54pin
最大时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
刷新周期：64ms
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H5TQ4G83EFR-RDI是一款高性能的DRAM芯片，其采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性特点。该芯片支持异步和同步两种操作模式，能够适应多种系统设计需求。其异步模式下提供灵活的地址和数据访问方式，而同步模式则通过时钟信号实现精确的数据控制，提高了数据传输的稳定性和效率。
该芯片的FBGA封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并减少了信号干扰，适用于高密度电路板设计。此外，H5TQ4G83EFR-RDI具有较长的数据保持时间，能够在断电情况下通过刷新操作保持数据完整性，适用于需要临时数据存储的应用场景。
这款DRAM芯片在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作，适合用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等对环境适应性要求较高的领域。
H5TQ4G83EFR-RDI常用于需要大容量临时数据存储的系统中，如嵌入式控制器、工业计算机、网络交换机、路由器、视频监控设备以及消费类电子产品（如智能电视和游戏机）。由于其高可靠性和宽温工作特性，也广泛应用于汽车电子系统和工业自动化设备中。
H5TQ4G83EFR-RDC, H5TQ4G83EFR-HRI, H5TQ4G83EFR-SBC
