类型：NOR Flash
　　容量：8 Mbit (1M x 8-bit)
　　工作电压：5V（读取），支持5V/3.3V编程与擦除
　　访问时间：85 ns
　　封装形式：48-pin TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口（x8模式）
　　写保护功能：硬件写保护引脚（WP#）
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程电压：内部电荷泵生成高压，支持VCC供电编程
　　待机电流：典型值10 μA
　　读取电流：典型值30 mA
　　编程/擦除耐久性：100,000次擦写周期
　　数据保持时间：10年 @ 最高工作温度

TE28F008S585具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用Intel专有的StrataFlash技术，允许每个存储单元存储多位数据状态，从而提升存储密度而不显著增加物理尺寸。尽管此型号以x8配置运行，但其底层架构支持更复杂的操作模式。其次，它提供了灵活的扇区结构，包含多个可独立擦除的扇区（例如64KB主扇区和8KB参数扇区），使得固件更新时可以仅修改特定区域，而不影响其他关键代码或数据，提升了系统安全性与效率。
　　该器件内置命令寄存器接口，通过标准写操作发送特定指令序列即可执行芯片识别、扇区保护、擦除、编程等操作，简化了微控制器对闪存的管理逻辑。此外，芯片支持软件数据保护（Software Data Protection, SDP）机制，防止因程序跑飞或异常复位导致的误写入或误擦除，增强了系统稳定性。硬件写保护引脚（WP#）进一步强化了这一保护机制，可在外部电路层面锁定敏感区域。
　　在性能方面，TE28F008S585提供85ns的快速读取访问时间，足以满足大多数实时嵌入式系统的代码执行需求，支持直接从闪存中运行程序（XIP），减少对外部RAM的依赖。低功耗设计使其在待机模式下电流消耗极低，适用于电池供电或对能效有要求的设备。同时，器件具备宽温工作能力（-40°C至+85°C），确保在恶劣工业环境中稳定运行。
　　值得一提的是，该芯片集成了内部电荷泵，能够在仅提供单一VCC电源的情况下完成编程和擦除所需的高压生成，无需额外高压电源轨，降低了系统设计复杂度。错误检测与纠正虽未内置ECC引擎，但可通过主机处理器配合实现一定程度的数据完整性校验。总体而言，TE28F008S585是一款成熟、稳健且易于集成的NOR Flash器件，特别适用于对可靠性要求较高而对成本和容量要求适中的应用场景。

TE28F008S585广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。在工业控制系统中，常用于存储PLC固件、配置参数及启动代码，因其具备良好的抗干扰能力和宽温特性，适合工厂环境下的长期运行。在通信设备领域，如路由器、交换机和基站模块中，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）和操作系统映像，支持快速启动和现场升级功能。消费类电子产品中，部分老式打印机、POS终端和智能家居主控板也曾采用此类闪存来保存核心控制代码。
　　汽车电子是另一个重要应用方向，虽然当前趋势转向更高集成度的存储方案，但在部分车身控制模块（BCM）、仪表盘系统或车载信息娱乐系统的早期设计中，TE28F008S585曾作为程序存储介质使用，特别是在需要直接从闪存执行代码（XIP）以节省RAM资源的场景下表现出色。医疗设备中也有应用案例，例如便携式监护仪或诊断仪器，利用其高可靠性与长时间数据保持能力来确保存储的关键算法和校准数据不会丢失。
　　此外，该芯片还常见于各种嵌入式开发板和原型验证平台，作为学习和调试NOR Flash操作的典型器件。由于其命令集公开、时序规范清晰，非常适合工程师进行底层驱动开发与故障排查。即使在新型设计中逐渐被SPI NOR Flash或eMMC等替代，TE28F008S585仍在系统维护、备件替换和技术升级项目中发挥着重要作用，尤其是在无法更改原有硬件架构的情况下，成为延续产品生命周期的重要元件。

SST39VF800A
　　AM29LV008B
　　MX29GL008T