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TDZ30J,115 发布时间 时间:2025/9/14 15:20:54 查看 阅读:32

TDZ30J,115 是由Nexperia(安世半导体)生产的一款双向电压抑制二极管(TVS - Transient Voltage Suppressor),用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其他瞬态干扰的影响。该器件采用SOD323封装,具有较低的击穿电压和快速响应时间,适用于高精度电子设备的瞬态电压保护。

参数

类型:双向TVS二极管
  封装:SOD323
  工作电压:30V
  最大钳位电压:45.7V(在Ipp = 3.3A时)
  最大反向关态电流:10μA
  击穿电压范围:27.8V ~ 32.2V
  峰值脉冲电流(Ipp):3.3A
  功率耗散:300W(短脉冲)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

TDZ30J,115 是一款高效的电压抑制二极管,适用于需要高可靠性和稳定性的电子系统。其主要特性包括快速响应时间(通常小于1ns),能够在瞬态事件发生时迅速将电压钳制在安全范围内,从而保护敏感的下游电路。该器件的双向特性使其能够适用于交流信号线路或双极性电压环境,例如在通信接口、USB端口和传感器电路中提供保护。
  此外,该TVS二极管采用紧凑的SOD323封装,占用空间小,适合在高密度PCB布局中使用。其低漏电流特性确保在正常工作状态下对系统功耗影响极小。TDZ30J,115 还具备高浪涌承受能力,可多次承受高能量瞬态冲击而不会损坏,提升了系统的长期稳定性与耐用性。
  器件符合RoHS标准,适用于自动化贴片工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

应用

TDZ30J,115 常用于需要保护敏感电子元件免受瞬态电压损害的场合。典型应用包括USB接口保护、HDMI和DisplayPort等高速数据接口的ESD防护、电源输入端口保护、工业控制系统的信号线保护以及汽车电子中的CAN总线保护等。

替代型号

PESD30V2BT2, LQC30V2BH, ESDA30V2B

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TDZ30J,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)30V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 21V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)40 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称TDZ30J115